MOS管(場效電晶體)的導通壓降下，導通電阻小，柵極驅動不需要電流，損耗小，驅動電路簡單，自帶保護二極體，熱阻特性好，適合大功率並聯，缺點開關速度不高，比較昂貴。三極體開關速度高，大型三極體的Ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅動電流大，驅動複雜。場效電晶體與三級管的比較：1）場效電晶體是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件；2）場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導電，稱之為雙極性器件3）場效電晶體靈活性比三級管好；4）場效電晶體的製造工藝更適合於積體電路。MOSFET和雙極型三極體相類似，電極對應關係是b®G、e®S、c®D；由FET組成的放大電路也和三極體放大電路相類似，三極體放大電路基極迴路需要一個偏置電流(偏流)，而FET放大電路的場效電晶體柵極沒有電流，所以，FET放大電路的柵極迴路需要一個合適的偏置電壓(偏壓)。FET組成的放大電路和三極體放大電路的主要區別在於：場效電晶體是電壓控制型器件，靠柵源之間的電壓變化來控制漏極電流的變化，放大作用以跨導來體現；三極體是電流控制型器件，靠基極電流的變化來控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數來體現。場效電晶體放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態。在分析三種組態時，可與雙極型三極體的共射、共集、共基對照。