IGBT(絕緣柵雙極型電晶體），是由 BJT(雙極結型晶體三極體) 和 MOS(絕緣柵型場效電晶體) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特徵。

簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。

IGBT模組是由IGBT與FWD（續流二極體晶片）透過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU” 。採用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。

IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的複合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。

在IGBT使用過程中，可以透過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。

2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN接面處於反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。

3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：

②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。

②若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P+區注入到N基區進行電導調製，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。

常用的是用Q或者是VT都可以，同三極體差不多。如果是電磁爐多用這兩種，大功率電器（變頻器）也是這兩種。其他的不多見。