針對題主的問題，我想應該從以下幾個方面入手：

儘量選用內部的flash來儲存資料，內部flash的讀寫速度快，可靠性高。

　　如果用外接的flash或者是eeprom進行儲存，flash一般是spi介面，考慮到電磁干擾，MCU的響應速度等問題，即使是採用MCU的硬體SPI模組進行通訊，SPI的clock時鐘最高也就1MHz左右，傳送1個位元組的資料大概需要10us，不考慮擦除flash的時間，儲存100個位元組的資料，如果考慮可靠性，需要讀取驗證，大概需要5ms左右的時間。

　而eeprom一般採用IIC介面，與SPI介面類似，以高速IIC進行通訊，儲存100個位元組的資料至少需要5ms左右的時候。

FLASH的特點是寫資料只能由1改寫為0，由0改寫為1需要整個page，或者整個sector，或者整個block進行擦除。

以STM32F051為例，一個page為1kByte，一個block為64kByte，擦除一個page大概耗時約20ms，在整個擦除過程中，整個MCU是掛機的，也就是不執行任何操作。而FLASH的寫操作比較快，大概1個Byte耗時1us。

需要有掉電檢測電路，掉電檢測需要透過檢測給MCU供電的LDO或者DC-DC的前級電壓。

比如MCU透過12V-3.3V的LDO供電，則需要透過檢測12V的電壓來判斷是否斷電。

將12V透過電阻分壓之後，接入MCU的A/D檢測口來判斷是否掉電。

MCU供電的LDO或者DC-DC的前級並聯足夠的電容，以確保電容的供電能保證MCU將資料寫入。

　可以透過以下的步驟確認電容的大小：

評估由掉電時前級電壓供電的工作電流大小，MCU一旦檢測到掉電，需要切掉耗電大的輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口需要立即斷開。比如20mA。確認LDO的最低輸入電壓，比如5.3確認判斷掉電的電壓，比如10V，確認掉電開始到LDO最低輸入電壓之間的壓差，比如4.7V確認寫入所有資料所需要的時間，比如20ms。根據公式計算所需電容的容量，C=I*T/U=20mA*20mS/4.7V=85uF。可選擇100uF的電容。MCU一旦檢測到掉電，需要切掉耗電大的輸出，比如控制繼電器輸出的I/O口需要立即斷開。在正常工作時，事先準備一塊儲存空間，將其擦除成為0xFF。

檢測到掉電之後，可以不需要擦除FLASH內容，可以直接寫入資料，可以節省大量的時間。