插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，效能高。
DDR3記憶體相對於DDR2記憶體，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量記憶體的支援較好，而大容量記憶體的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位作業系統的執行上限（不考慮PAE等等的記憶體映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與作業系統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3記憶體的普及時期。DDR3 UB DIMM 2007進入市場，成為主流時間點多數廠商預計會是到2010年。
一、DDR2與DDR3記憶體的特性區別：
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝（Packages）
由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可透過A12地址線來控制這一突發模式。
4、定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲（CWD），這一引數將根據具體的工作頻率而定。
二、與DDR2相比DDR3具有的優點（桌上型unbuffered DIMM）：
1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下資料傳輸量將會是DDR2的兩倍。
2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內部增加溫度senser，可依溫度動態控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達到省電目的。
3.容量更大：更多的Bank數量，依照JEDEC標準，DDR2應可出到單位元元4Gb的容量（亦即單條模組可到8GB），但目前許多DRAM廠商的規劃，DDR2生產可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模組，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模組容量將從1GB起跳，目前規劃單條模組到16GB也沒問題（注意：這裡指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
另外,站長團上有產品團購,便宜有保證
插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，效能高。
DDR3記憶體相對於DDR2記憶體，其實只是規格上的提高，並沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量記憶體的支援較好，而大容量記憶體的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位作業系統的執行上限（不考慮PAE等等的記憶體映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與作業系統就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3記憶體的普及時期。DDR3 UB DIMM 2007進入市場，成為主流時間點多數廠商預計會是到2010年。
一、DDR2與DDR3記憶體的特性區別：
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝（Packages）
由於DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可透過A12地址線來控制這一突發模式。
4、定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲（CWD），這一引數將根據具體的工作頻率而定。
二、與DDR2相比DDR3具有的優點（桌上型unbuffered DIMM）：
1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下資料傳輸量將會是DDR2的兩倍。
2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內部增加溫度senser，可依溫度動態控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達到省電目的。
3.容量更大：更多的Bank數量，依照JEDEC標準，DDR2應可出到單位元元4Gb的容量（亦即單條模組可到8GB），但目前許多DRAM廠商的規劃，DDR2生產可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模組，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模組容量將從1GB起跳，目前規劃單條模組到16GB也沒問題（注意：這裡指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
另外,站長團上有產品團購,便宜有保證