1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指標在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指標擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指標回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指標式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應電晶體（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模組檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模組c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模組是否完好。
以六相模組為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模組效能變差，應予更換。IGBT模組損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模組門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模組應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。
1、判斷極性
首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。
2、判斷好壞
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指標在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指標擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指標回零。此時即可判斷IGBT是好的。
3、任何指標式萬用表皆可用於檢測IGBT
注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應電晶體（P-MOSFET）的好壞。
逆變器IGBT模組檢測：
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模組c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模組是否完好。
以六相模組為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模組效能變差，應予更換。IGBT模組損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模組門極正常。如果有數值顯示，則門極性能變差，此模組應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。