這兩種儲存晶片的技術原理是不一樣的，記憶體條中對資料的儲存靠的是電容，固態硬碟和記憶體卡還有隨身碟的原理是一樣的，它們對資料的儲存靠的是pn結。記憶體條用英文表示是DDR，它是動態隨機儲存器。動態意味著在電容中儲存的資料只能儲存非常短的時間（即使加著電），幾毫秒就得重新整理（重新寫入）一次，不然就掉資料。意思就是說，DDR之所以大量寫入不會壞，一個原因是因為資料不管有沒有寫入，都在被不斷的被重新整理（重新寫入），也就不存在老化和壽命的問題。資料會壞？不要緊，在那之前已經重新寫入了。[呃！~~~不要在意我複製別人的回答，因為他說的確實很有道理。]而記憶體卡隨身碟及固態硬碟對它們所相應的儲存單元的每一次儲存資料的動作依靠的是對一個pn結及結構元件的放電擊穿（對其原理略懂的童鞋在我一說放電擊穿時肯定一下子就明白了），這是一種物理損害，而讀取資料就沒必要進行放電擊穿這一動作了。也就是說在這上面每進行一次資料的儲存都要做一次放電擊穿(呵呵！別嫌我囉嗦)，而一個pn結及其結構元件對其放電擊穿的動作是有限制的，到最後就會被徹底擊毀。這樣就把其從儲存晶片的P/E次數徹底用完了，這就是一個儲存晶片的壽命到頭了。再說了，半導體制程工藝的奈米數肯定有人聽說過及明白它的概念吧，奈米數越小其pn結這樣的結構也越小，對放電擊穿的耐受次數也越小，其P/E次數也變得越來越小了，在3D結構大行其道的今天。把相應的奈米數變大也是為了保證產品的讀寫次數也就是使用壽命，這確實是一種聰明的做法！