記憶體和NOR型快閃記憶體的基本儲存單元是bit，使用者可以隨機訪問任何一個bit的資訊。而NAND型快閃記憶體的基本儲存單元是頁（Page）（可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組）。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於資料儲存的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是（512+16）位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到（2048+64）位元組。
NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條資料線每次傳輸（512+16）bit資訊，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶片就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本資料單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。
定址時，NAND型快閃記憶體透過8條I/O介面資料線傳輸地址資訊包，每包傳送8位地址資訊。由於快閃記憶體晶片容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鐘週期。NAND的地址資訊包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個週期。隨著容量的增大，地址資訊會更多，需要佔用更多的時鐘週期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址週期比其他儲存介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他儲存介質更不適合大量的小容量讀寫請求。
記憶體和NOR型快閃記憶體的基本儲存單元是bit，使用者可以隨機訪問任何一個bit的資訊。而NAND型快閃記憶體的基本儲存單元是頁（Page）（可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組）。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於資料儲存的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是（512+16）位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到（2048+64）位元組。
NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條資料線每次傳輸（512+16）bit資訊，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶片就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本資料單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。
定址時，NAND型快閃記憶體透過8條I/O介面資料線傳輸地址資訊包，每包傳送8位地址資訊。由於快閃記憶體晶片容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鐘週期。NAND的地址資訊包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個週期。隨著容量的增大，地址資訊會更多，需要佔用更多的時鐘週期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址週期比其他儲存介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他儲存介質更不適合大量的小容量讀寫請求。