流化床法

以四氯化矽、氫氣、氯化氫和工業矽為原料在流化床內（沸騰床）高溫高壓下生成三氯氫矽，將三氯氫矽再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫矽，繼而生成矽烷氣。

製得的矽烷氣通入加有小顆粒矽粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶矽產品。因為在流化床反應爐內參與反應的矽表面積大，生產效率高，電耗低與成本低，適用於大規模生產太陽能級多晶矽。唯一的缺點是安全性差，危險性大。其次是產品純度不高，但基本能滿足太陽能電池生產的使用。

此法是美國聯合碳化合物公司早年研究的工藝技術。目前世界上只有美國MEMC公司採用此法生產粒狀多晶矽。此法比較適合生產價廉的太陽能級多晶矽。

流化床法是美國聯合碳化合物公司早年研發的多晶矽製備工藝技術。該方法是以SiCl4、H2、HCl和工業矽為原料，在高溫高壓流化床內（沸騰床）生成SiHCl3，將SiHCl3再進一步歧化加氫反應生成SiH2Cl2，繼而生成矽烷氣。製得的矽烷氣通入加有小顆粒矽粉的流化床反應爐內進行連續熱分解反應，生成粒狀多晶矽產品。由於在流化床反應爐內參與反應的矽表面積大，故該方法生產效率高、電耗低、成本低。該方法的缺點是安全性較差，危險性較大，且產品的純度也不高。不過，它還是基本能滿足太陽能電池生產的使用。故該方法比較適合大規模生產太陽能級多晶矽。