肖特基二極體是屬於低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長是開關速度非常快，反向恢復時間可以小到幾個納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流的條件下工作，電腦主機電源的輸出整流二極體就採用了肖特基二極體。 肖特基二極體是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻染劑的N一外延層。陽性（阻擋層）金屬材料是鉬。二氧化矽用來消除邊緣區域電場，提高肖特基二極體的耐壓值。N型基片摻雜濃度比N一層高100倍，具有很小的通態電阻。基片下部的N+陰極層用以減小陰極的接觸電阻。透過調整結構引數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基二極體。 快恢復二極體是近年來問世的新型半導體器件，它具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積較小、安裝簡便等優點。可作高頻、大電流的整流、續流二極體，在開關電源、脈寬調製器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電機變頻調速等電子裝置中得到了廣泛的應用，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。 快恢復二極體的一個重要引數是反向恢復時間trr，其定義是：電流流過零點由正向轉換成反向，再由反向轉換到規定的值Irr時的時間間隔，它是衡量高頻續流、整流器件效能的重要技術引數。 快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同，它是在P型、N型矽材料中間增加了基區I，構成P-I-N矽片。由於基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降， 使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。