雖然名字上只差毫釐，但DDR和DDR2卻是完全不相容的，DDR2介面為240Pins比DDR的184Pin長，而且電壓亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同時脈下比DDR低一半的功耗，這些都是DDR2記憶體的優點，而缺點則是DDR的延遲值比較高，在同時脈下效能較低。 不單在規格上不相容，其實DDR和DDR2在技術上有得大分別。我們用的記憶體是透過不停充電及放電的動作記錄資料的，上代SDRAM記憶體的核心時脈就相等於傳送速度，而每一個Mhz只會有傳送1 Bit的資料，採用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的頻寬為100Mbps。但隨著系統內部元件速度提升，對記憶體速度的要求增加，單純提升記憶體時脈已經不能應付需求，幸好及時發展出DDR技術。
DDR與SDRAM的分別在於傳統SDRAM只能於充電那一刻存取資料，故此每一下充電放電的動作，只能讀寫一次，而DDR卻把技術提升至在充電及放電時都能存取資料，故此每Mhz有兩次存取動作，故此DDR會比SDRAM在同一時脈下效能提高一倍，而100Mhz的DDR卻可達至200Mbps存取速度，由於每一個Mhz都要有二次的資料存取，故此DDR每一Mhz會傳送2Bit，稱為2Bit Prefetch，而DDR顆粒時脈每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的兩倍。
而DDR 2則是承繼DDR並作出改良，同樣能在每一筆充電放電時都能存取，但DDR 2卻改良了I/O Buffer部份，以往記憶體顆粒的時脈相等於I/O Buffer的時脈，但DDR2的I/O Buffer會被提升至卻記憶體核心時脈的一倍，而DDR 2記憶體會在每一個Mhz傳送4Bit的資料給I/O Buffer，比DDR每筆傳送2Bit多一倍，故此在同一記憶體核心時脈下，DDR 2的記憶體會比DDR速度快一倍，這技術稱為4Bit Prefetch。DDR 2未來提升速度的空間會比DDR強，因為每提升1 Mhz DRAM的時脈，所得到的效果卻是傳統SDRAM的四倍。不過我們經常提及DDR 2的時脈是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的時脈還是266Mhz。
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II透過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II透過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD透過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；透過控制電壓來提高訊號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠被插到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到 CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
雖然名字上只差毫釐，但DDR和DDR2卻是完全不相容的，DDR2介面為240Pins比DDR的184Pin長，而且電壓亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同時脈下比DDR低一半的功耗，這些都是DDR2記憶體的優點，而缺點則是DDR的延遲值比較高，在同時脈下效能較低。 不單在規格上不相容，其實DDR和DDR2在技術上有得大分別。我們用的記憶體是透過不停充電及放電的動作記錄資料的，上代SDRAM記憶體的核心時脈就相等於傳送速度，而每一個Mhz只會有傳送1 Bit的資料，採用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的頻寬為100Mbps。但隨著系統內部元件速度提升，對記憶體速度的要求增加，單純提升記憶體時脈已經不能應付需求，幸好及時發展出DDR技術。
DDR與SDRAM的分別在於傳統SDRAM只能於充電那一刻存取資料，故此每一下充電放電的動作，只能讀寫一次，而DDR卻把技術提升至在充電及放電時都能存取資料，故此每Mhz有兩次存取動作，故此DDR會比SDRAM在同一時脈下效能提高一倍，而100Mhz的DDR卻可達至200Mbps存取速度，由於每一個Mhz都要有二次的資料存取，故此DDR每一Mhz會傳送2Bit，稱為2Bit Prefetch，而DDR顆粒時脈每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的兩倍。
而DDR 2則是承繼DDR並作出改良，同樣能在每一筆充電放電時都能存取，但DDR 2卻改良了I/O Buffer部份，以往記憶體顆粒的時脈相等於I/O Buffer的時脈，但DDR2的I/O Buffer會被提升至卻記憶體核心時脈的一倍，而DDR 2記憶體會在每一個Mhz傳送4Bit的資料給I/O Buffer，比DDR每筆傳送2Bit多一倍，故此在同一記憶體核心時脈下，DDR 2的記憶體會比DDR速度快一倍，這技術稱為4Bit Prefetch。DDR 2未來提升速度的空間會比DDR強，因為每提升1 Mhz DRAM的時脈，所得到的效果卻是傳統SDRAM的四倍。不過我們經常提及DDR 2的時脈是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的時脈還是266Mhz。
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II透過OCD可以提高訊號的完整性。DDR II透過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD透過減少DQ-DQS的傾斜來提高訊號的完整性；透過控制電壓來提高訊號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射訊號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了資料線的訊號比和反射率，終結電阻小則資料線訊號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則資料線的信噪比高，但是訊號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組，還會在一定程度上影響訊號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的訊號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的訊號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS訊號（讀寫/命令）能夠被插到RAS訊號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到 CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設定。由於CAS訊號放在了RAS訊號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS訊號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。