三星固態硬碟PRO和EVO簡單來說定位有所區別，PRO定位高階旗艦型號，EVO定位親民大眾型號。我從官方客服得到答案是，EVO用的是快閃記憶體顆粒是Samsung V-NAND 3bit MLC，PRO用的快閃記憶體顆粒是Samsung V-NAND 2bit MLC，而實際Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC顆粒。

所以可以總結為：PRO主要採用的是可靠性和效能非常出色的MLC NAND顆粒，EVO而採用的是價效比且可靠性也非常高的3D TLC NAND顆粒。

到底啥是MLC啥是TLC，大家可能有些暈，我先給大家簡單普及下。

顆粒的傳統分類：SLC、MLC、TLC

簡單來說，NAND快閃記憶體中儲存的資料是以電荷的方式儲存在每個NAND儲存單元內的，SLC、MLC及TLC就是儲存的位數不同。

SLC（Single-Level Cell）單層式儲存每個儲存單元僅能儲存1bit資料，同樣，MLC（Multi-Level Cell）可儲存2bit資料，TLC(Trinary-Level)可儲存3bit資料。一個儲存單元上，一次儲存的位數越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節約快閃記憶體的成本，提高NAND的生產量。

MLC的優勢在於，TLC需要識別8種訊號，而MLC只需要識別4種訊號，可以花更少時間來讀取資料。因此，3D NAND出現之前，MLC在效能和可靠性上，是高於TLC的。但是，隨著三星的3D TLC的出現，TLC與MLC的效能和可靠性逐漸拉小差距。

3D NAND快閃記憶體：三星的殺手鐧級產品

剛介紹的NAND快閃記憶體不僅有SLC、MLC和TLC型別之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的製程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進工藝雖然帶來了更大的容量，但是NAND快閃記憶體的製程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及效能都在下降，因為工藝越先進，NAND的矽基越薄，可靠性也越差，廠商就需要採取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。

相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，想要提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND快閃記憶體的容量、效能、可靠性都有了保證了。

由於已經向垂直方向擴充套件NAND密度，那就沒有繼續縮小電晶體的壓力了，所以三星可以使用相對更舊的工藝來生產3D NAND快閃記憶體，做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。現在三星已經就這樣做了，Pro是3D MLC，Evo是3D TLC。使用舊工藝的好處就是P/E擦寫次數大幅提升，而且電荷干擾的情況也因為使用舊工藝而大幅減少。

過去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子裡隔出更多的房間，就需要壓縮每個房間的空間。隨著租客越來越多，房間空間越來越小了，只能放一張床了，再繼續壓縮的話，人都住不了。怎麼辦？聰明的建築師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間。現在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那麼小的房間。3D NAND快閃記憶體思想就是這樣的，不是一味的在一個平面提升快閃記憶體密度，而是堆積多個平面，達到提升快閃記憶體容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內可容納的人就會更多，這點是同理的。

由此我們也可以得出結論3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC，現在不管購買三星PRO還是EVO都不用過分考慮SSD快閃記憶體壽命問題，可能電腦主機完全淘汰了SSD還健在，而從正常使用考慮三星EVO採用3D TLC技術也足以應對日常資料處理，追求更高效能的使用者則可以考慮三星PRO系列產品，效能更為出色！

850pro是採用MLC快閃記憶體，而850evo是採用TLC快閃記憶體（成本低很多），前者無論在速度和壽命上都好於後者，850EVO是採用一塊區域以SLC模式暫存資料，然後迅速轉移到TLC上（SLC快閃記憶體速度和壽命更好），AS_SSD_Benchmark測試軟體正好在這個區域內進行測試，所以測試分數很高，一旦這個區域被佔用，再測試就會是TLC部分，分數就會明顯下降。所以850EVO要比850pro便宜很多。目前採用TLC快閃記憶體的只有三星840EVO和850VEO，外加閃迪的一款，其餘基本都是MLC的。