C60晶體有金屬光澤, 其苯溶液呈紫紅色。C60分子特別穩定, 在進行化學反應時或在化合物中始終是一個整體。C60能抗輻射、耐高壓、抗腐蝕。C60的能帶結構與半導體材料相近，能頻寬度為1.7電子伏特, 純C60的導電率極低, 與絕緣體相差無幾。 C60的X光衍射照片證實, 它有正20面體的結構, 結構中正五邊形的邊長為1.47埃, 六邊形為不等六邊形, 其中一組不相鄰的邊長為1.47埃, 另一組不相鄰邊長為1.38埃。球狀結構的直徑為7.1埃。 巴氏球能和一些元素化合，它的鹼金屬化合物有超導電性, 這點十分引人注目。 1991年4月美國貝爾實驗室發現C60和鉀的化合物在18K下呈現超導狀態。同年6月日本電氣公司將C60和銫銣合金化合獲得了臨界溫度為33K的超導體。7月中國北京大學、物理所等單位也製出了K3C60和Rb3C60超導體。圖2-28給出了K3C60的K原子處於C60所形成的面心立方結構的K(1)和K(2)位置。 據報導，1993年美國紐約州立大學的材料物理學家將氯化碘滷間化合物摻入巴氏球中,合成了臨界溫度達60K的C60超導體, 這是第一個利用空穴摻雜產生的超導體, 以往的碳超導體是利用帶負電的粒子摻雜產生的, 空穴摻雜是利用帶負電的粒子摻雜產生的, 空穴摻雜材料的電學特性是由行為像正電荷那樣帶電粒子產生的。

導電性

C60常態下不導電。因為C60大得可以將其他原子放進它內部，並影響其物理性質，因而不可導電。另外，由於C60有大量遊離電子，所以若把可作β衰變的放射性元素困在其內部，其半衰期可能會因此受到影響。

超導性

1991年，赫巴德（Hebard）等首先提出摻鉀C60具有超導性，超導起始溫度為18K，打破了有機超導體(Et)2Cu[N(CN)2]Cl超導起始溫度為12.8K的紀錄。不久又製備出Rb3C60的超導體，超導起始溫度為29K。摻雜C60的超導體已進入高溫超導體的行列。研究顯示，這類材料是以晶格里的電洞來傳導電流（類似p型半導體），若加入其它分子（例如三溴甲烷）來拉長晶格間距，還可以有效地提升其超導相變溫度至117K。中國在這方面的研究也很有成就，北京大學和中國科學院物理所合作，成功地合成了K3C60和Rb3C60超導體，超導起始溫度分別為8K和28K。有科學工作者預言，如果摻雜C240和摻雜C540，有可能合成出具有更高超導起始溫度的超導體。