晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN（如圖5-1）和PNP（如圖5-2）兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度矽中加入磷，是指取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以透過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN（如圖5-1）和PNP（如圖5-2）兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度矽中加入磷，是指取代一些矽原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。
對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以透過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。