表示在單位磁感應強度和單位控制電流時的霍爾電勢的大小。

UH=RH*IC*B/d(1)，式中RH稱為霍爾係數，它的單位是米的三次方每庫侖。

霍爾元件應用的基本原理是霍爾效應。霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產生電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。UH稱為霍爾電勢，其大小可表示為:

UH=RH*IC*B/d(1)

式中，RH稱為霍爾係數，它的單位是米的三次方每庫侖，由半導體材料的性質決定;d為半導體材料的厚度,IC 為電流，B為磁場強度

設RH/d=K,則式(1)可寫為:

UH=K*IC*B (2)

可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，K稱為乘積靈敏度。K值越大，靈敏度就越高;元件厚度越小，輸出電壓也越大。

在式(2)中，若控制電流IC,為常數，磁感應強度B與被測電流成反比，就可以做成霍爾電流感測器;另外，若仍固定IC為常數，B與被測電壓成正比，又可製成霍爾電壓感測器。

霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾(A.H.Hall，1855-1938)於1879年在研究金屬的導電機構時發現的。

當電流垂直於外磁場透過導體時，在導體的垂直於磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差，這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。