可以，2N60是功率場效電晶體，引數是：矽、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、帶阻尼；12N60C也是功率場效電晶體，引數：矽、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、帶阻尼。12N60C是可以代換2N60的。 功率場效應電晶體（VF）又稱VMOS場效電晶體。在實際應用中，它有著比電晶體和MOS場效電晶體更好的特性。即是在大功率範圍應用的場效應電晶體，它也稱作功率MOSFET，其優點表現在以下幾個方面： 1. 具有較高的開關速度。 2. 具有較寬的安全工作區而不會產生熱點，並且具有正的電阻溫度係數，因此適合進行並聯使用。 3. 具有較高的可靠性。 4. 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。 5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達2~6V(一般在1.5V~5V之間）。當環境噪聲較高時，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當噪聲較低時，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅動訊號電壓。給電路設計帶來了極大地方便。 6. 由於它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅動功率很小，對驅動電路要求較低。 由於這些明顯的優點，功率場效應電晶體在電機調速，開關電源等各種領域應用的非常廣泛。
可以，2N60是功率場效電晶體，引數是：矽、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、帶阻尼；12N60C也是功率場效電晶體，引數：矽、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、帶阻尼。12N60C是可以代換2N60的。 功率場效應電晶體（VF）又稱VMOS場效電晶體。在實際應用中，它有著比電晶體和MOS場效電晶體更好的特性。即是在大功率範圍應用的場效應電晶體，它也稱作功率MOSFET，其優點表現在以下幾個方面： 1. 具有較高的開關速度。 2. 具有較寬的安全工作區而不會產生熱點，並且具有正的電阻溫度係數，因此適合進行並聯使用。 3. 具有較高的可靠性。 4. 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。 5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達2~6V(一般在1.5V~5V之間）。當環境噪聲較高時，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當噪聲較低時，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅動訊號電壓。給電路設計帶來了極大地方便。 6. 由於它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅動功率很小，對驅動電路要求較低。 由於這些明顯的優點，功率場效應電晶體在電機調速，開關電源等各種領域應用的非常廣泛。