答：MOS管和IGBT管作為現代電子裝置使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由於外形及靜態引數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
MOS管
MOS管即MOSFET，中文名金氧半導體絕緣柵場效電晶體。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應電晶體，是MOS管與晶體三極體的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極體作為輸出管。於是三極體的功率做的挺大，因此兩者組合後即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極體的優點。
綜上所述的兩種電晶體，是目前電子裝置使用頻率很高的電子元器件，兩者在外形及靜態引數極其相似，某些電子產品是存在技術壟斷，在電路中有時它們的型號是被擦掉的，截止目前，它們在命名標準及型號統又沒有統一標準，而外型及管腳的排列相似，根本無規律可循，成為維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為必要手段。
MOS管和IGBT管的辨別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。
靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向導通反向截止，於是有Rgd＝Rgs＝Rds＝無窮大，Rsd＝幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大，即Rgc＝Rge＝無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極體的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce＝無窮大，Rec＝幾千歐。從這裡只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區分不出是那種管子。測量得阻值很小，則說明管子被擊穿，測量阻值很大，說明管子內部斷路。
動態測量區分MOS管和IGBT管
先用萬用表給管子的柵極施加電壓，是場效電晶體建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。
用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻，由於場效電晶體已經建立溝道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體三極體處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極體的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。
答：MOS管和IGBT管作為現代電子裝置使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由於外形及靜態引數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
MOS管
MOS管即MOSFET，中文名金氧半導體絕緣柵場效電晶體。其特性，輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。
IGBT中文名絕緣柵雙極型場效應電晶體，是MOS管與晶體三極體的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極體作為輸出管。於是三極體的功率做的挺大，因此兩者組合後即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極體的優點。
綜上所述的兩種電晶體，是目前電子裝置使用頻率很高的電子元器件，兩者在外形及靜態引數極其相似，某些電子產品是存在技術壟斷，在電路中有時它們的型號是被擦掉的，截止目前，它們在命名標準及型號統又沒有統一標準，而外型及管腳的排列相似，根本無規律可循，成為維修過程中的攔路虎，如何區分和判斷成為必要手段。
MOS管和IGBT管的辨別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。
靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向導通反向截止，於是有Rgd＝Rgs＝Rds＝無窮大，Rsd＝幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大，即Rgc＝Rge＝無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極體的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce＝無窮大，Rec＝幾千歐。從這裡只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區分不出是那種管子。測量得阻值很小，則說明管子被擊穿，測量阻值很大，說明管子內部斷路。
動態測量區分MOS管和IGBT管
先用萬用表給管子的柵極施加電壓，是場效電晶體建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。
用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻，由於場效電晶體已經建立溝道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體三極體處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極體的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。