晶體二極體 crystal diode 固態電子器件中的半導體兩端器件。起源於19世紀末發現的點接觸二極體效應，發展於20世紀30年代，主要特徵是具有單向導電性，即整流特性。利用不同的半導體材料、摻雜分佈、幾何結構，可製成不同型別的二極體，用來產生、控制、接收、變換、放大訊號和進行能量轉換。例如穩壓二極體可在電源電路中提供固定偏壓和進行過壓保護；雪崩二極體作為固體微波功率源，用於小型固體發射機中的發射源；半導體光電二極體能實現光-電能量的轉換，可用來探測光輻射訊號；半導體發光二極體能實現電-光能量的轉換，可用作指示燈、文字-數字顯示、光耦合器件、光通訊系統光源等；肖特基二極體可用於微波電路中的混頻、檢波、調製、超高速開關、倍頻和低噪聲參量放大等。 分類 按用途分：檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關管、光電管。 按結構分：點接觸型二極體、面接觸型二極體二極體最主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線如圖所示 1、正向特性 當加在二極體兩端的正向電壓（P為正、N為負）很小時（鍺管小於0.1伏，矽管小於0.5伏），管子不導通，處於“截止”狀態，當正向電壓超過一定數值後，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線I段）。不同材料的二極體，起始電壓不同，矽管為0.5-.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右。 2、反向特性 二極體兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線II段)。不同材料的二極體，反向電流大小不同，矽管約為1微安到幾十微安，鍺管則可高達數百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩定性比矽管差。 3、擊穿特性 當反向電壓增加到某一數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿（見曲線III)。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料製成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1伏到幾百伏，甚至高達數千伏。 4、頻率特性 由於結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使PN接面短路。導致二極體失去單向導電性，不能工作，PN接面面積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。
晶體二極體 crystal diode 固態電子器件中的半導體兩端器件。起源於19世紀末發現的點接觸二極體效應，發展於20世紀30年代，主要特徵是具有單向導電性，即整流特性。利用不同的半導體材料、摻雜分佈、幾何結構，可製成不同型別的二極體，用來產生、控制、接收、變換、放大訊號和進行能量轉換。例如穩壓二極體可在電源電路中提供固定偏壓和進行過壓保護；雪崩二極體作為固體微波功率源，用於小型固體發射機中的發射源；半導體光電二極體能實現光-電能量的轉換，可用來探測光輻射訊號；半導體發光二極體能實現電-光能量的轉換，可用作指示燈、文字-數字顯示、光耦合器件、光通訊系統光源等；肖特基二極體可用於微波電路中的混頻、檢波、調製、超高速開關、倍頻和低噪聲參量放大等。 分類 按用途分：檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關管、光電管。 按結構分：點接觸型二極體、面接觸型二極體二極體最主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線如圖所示 1、正向特性 當加在二極體兩端的正向電壓（P為正、N為負）很小時（鍺管小於0.1伏，矽管小於0.5伏），管子不導通，處於“截止”狀態，當正向電壓超過一定數值後，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線I段）。不同材料的二極體，起始電壓不同，矽管為0.5-.7伏左右，鍺管為0.1-0.3左右。 2、反向特性 二極體兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線II段)。不同材料的二極體，反向電流大小不同，矽管約為1微安到幾十微安，鍺管則可高達數百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩定性比矽管差。 3、擊穿特性 當反向電壓增加到某一數值時，反向電流急劇增大，這種現象稱為反向擊穿（見曲線III)。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料製成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由1伏到幾百伏，甚至高達數千伏。 4、頻率特性 由於結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使PN接面短路。導致二極體失去單向導電性，不能工作，PN接面面積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作。