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  • 1 # 使用者2458114238191884

    記憶體的頻率是不可更改的,便是可以超頻。下面簡單介紹一下。

    1.記憶體同步超頻

    對於記憶體超頻而言,根據不同主機板,可以採用不同的超頻方案,同時記憶體超頻又與CPU有著直接或間接的關係,一般來說,記憶體超頻的實現方法有兩種:一是記憶體同步,即調整CPU外頻並使記憶體與之同頻工作;二是記憶體非同步,即記憶體工作頻率高出CPU外頻。

    首先我們說說記憶體同步超頻,我們知道,在一般情況下,CPU外頻與記憶體外頻是一致的,所以在提升CPU外頻進行超頻時,也必須相應提升記憶體外頻使之與CPU同頻工作,比如我們擁有一個平臺,CPU為Athlon XP 1800+、KT600主機板、DDR266記憶體。Athlon XP 1800+預設外頻為133MHz、預設倍頻為11.5,主頻為1.53G,由於Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了,只能透過提升外頻的方法超頻,假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz,此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。由於CPU外頻提高到了166MHz,假如你使用的是DDR333以上規格記憶體,那麼將記憶體頻率設定為166MHz屬於標準頻率下工作,但這裡使用的是DDR266記憶體,為了滿足CPU超頻需求,記憶體也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。

    具體方法是進入BIOS設定,找到“Advanced Chipset Features” 選項,然後會看到一個“DRAM Clock”選項,將滑鼠游標定位到這裡並回車,然後會出現記憶體頻率設定選項,在這裡我們選擇“166MHz”並回車,儲存設定並退出即實現了記憶體同步超頻。

    需要注意的是,超頻後的記憶體在非標準頻率下工作,如果記憶體品質不好,可能造成宕機,所以記憶體超頻還需要看記憶體本身的品質,一般而言,市場上普遍常見的現代(Hyundai)、三星(Samsung)相容DDR記憶體,其都不具備很好的超頻效能。

    2.記憶體非同步超頻

    在記憶體同步工作模式下,記憶體的執行速度與CPU外頻相同。而記憶體非同步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令記憶體工作在高出或低於系統匯流排速度33MHz或3:4、4:5(記憶體:外頻)的頻率上,這樣可以緩解超頻時經常受限於記憶體的“瓶頸”。

    對於支援SDRAM記憶體的老主機板而言(如815系列),在支援記憶體非同步的主機板BIOS中,可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Host Clock為匯流排頻率和記憶體工作頻率同步,Hclk-33M表示匯流排頻率減少33M,而Hclk+33M可以使記憶體的工作頻率比系統外頻高出33MHz,比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz,而你的記憶體為PC133規格(即標準外頻為133MHz),此時在BIOS的“DRAM Clock”下選擇“Hclk+33M”,可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下,而記憶體卻可以在133MHz頻率下執行,充分挖掘記憶體的超頻潛力並提升系統性能。

    而對於支援DDR記憶體的老主機板而言(如845G晶片組),Intel規定845G只支援DDR266(133MHz×2)記憶體,不過有的品牌845G主機板在BIOS中加入記憶體非同步功能,在BIOS中按照4:5的比例進行設定,可以讓記憶體執行在166MHz,從而支援DDR333(166MHz×2),並使記憶體頻寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是:進入BIOS設定中,進入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”選項,然後進入“DRAM Frequency(記憶體頻率)”選項,在這裡可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項,直接選中“320MHz”即可。

    一般來說AMD的U同步比非同步工作要好,而INTEL就不然.

    3.增加電壓幫助超頻

    記憶體頻率提升了,所以記憶體功耗也隨之增加,但在預設情況下,主機板BIOS中記憶體電壓引數是被設定為記憶體標準頻率的數值,通常來說,為了確保記憶體超頻的穩定性,我們需要增加記憶體電壓,很多主機板BIOS設定中都提供了記憶體電壓調節功能,同時記憶體電壓調節級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節,記憶體電壓引數調節越細微,對超頻越有幫助。

    調節記憶體電壓的方式是進入“Advanced Chipset Features”選項,然後將滑鼠游標定位到“Current Voltage”上,在這裡我們看到,該主機板記憶體電壓分了好幾段,電壓調節範圍從1.60V~2.70V,每相鄰的兩項之間的差值為0.1V,我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓,每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是,超頻時不要一次將記憶體電壓提升太高,首先提升0.1V電壓,然後儲存退出,進入WINDOWS系統對記憶體進行效能測試,如果很穩定,可以重新進入BIOS中再次將記憶體電壓提升0.1V,依次類推,直到自己滿意為止。

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