“電晶體”，英文是transistor；“邏輯”，英文是logic；輸入級和輸出級都採用電晶體的邏輯電路，叫做電晶體－電晶體邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體積體電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個電晶體和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件.電晶體是半導體三極體中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字元號為“Q”、“GB”等）表示。 電晶體是內部含有兩個PN接面，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電訊號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。 一、電晶體的種類 電晶體有多種分類方法。 （一）按半導體材料和極性分類 按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺NPN型電晶體、鍺PNP電晶體、矽NPN型電晶體和矽PNP型電晶體。 （二）按結構及製造工藝分類 電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。 （三）按電流容量分類 電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。 （四）按工作頻率分類 電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。 （五）按封裝結構分類 電晶體按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）電晶體、塑膠封裝（簡稱塑封）電晶體、玻璃殼封裝（簡稱玻封）電晶體、表面封裝（片狀）電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。 （六）按功能和用途分類 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電晶體和磁敏電晶體等多種型別。 二、電晶體的主要引數 電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 （一）電流放大係數 電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。 根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。 1．直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 （二）耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。 耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。 通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。 （三）頻率特性 電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。 電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。 1．特徵頻率fT 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。 通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的電晶體稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的電晶體稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的電晶體稱為中頻管。 2．最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。 （四）集電極最大電流ICM 集電極最大電流是指電晶體集電極所允許透過的最大電流。當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 （五）最大反向電壓 最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向電流 電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1．集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。 2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。
“電晶體”，英文是transistor；“邏輯”，英文是logic；輸入級和輸出級都採用電晶體的邏輯電路，叫做電晶體－電晶體邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體積體電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個電晶體和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件.電晶體是半導體三極體中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字元號為“Q”、“GB”等）表示。 電晶體是內部含有兩個PN接面，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電訊號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。 一、電晶體的種類 電晶體有多種分類方法。 （一）按半導體材料和極性分類 按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺NPN型電晶體、鍺PNP電晶體、矽NPN型電晶體和矽PNP型電晶體。 （二）按結構及製造工藝分類 電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。 （三）按電流容量分類 電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。 （四）按工作頻率分類 電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。 （五）按封裝結構分類 電晶體按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）電晶體、塑膠封裝（簡稱塑封）電晶體、玻璃殼封裝（簡稱玻封）電晶體、表面封裝（片狀）電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。 （六）按功能和用途分類 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電晶體和磁敏電晶體等多種型別。 二、電晶體的主要引數 電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 （一）電流放大係數 電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。 根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。 1．直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 （二）耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。 耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成電晶體因過載而損壞。 通常將耗散功率PCM小於1W的電晶體稱為小功率電晶體，PCM等於或大於1W、小於5W的電晶體被稱為中功率電晶體，將PCM等於或大於5W的電晶體稱為大功率電晶體。 （三）頻率特性 電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。 電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。 1．特徵頻率fT 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。 通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的電晶體稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的電晶體稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的電晶體稱為中頻管。 2．最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。 （四）集電極最大電流ICM 集電極最大電流是指電晶體集電極所允許透過的最大電流。當電晶體的集電極電流IC超過ICM時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 （五）最大反向電壓 最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。 3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向電流 電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。 1．集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。 2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。