光電效應是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電
。光電現象由德國物理學家赫茲於1887年發現，而正確的解釋為愛因斯坦所提出。科學家們對光電效應的深入研究對發展量子理論起了根本性的作用。
光電效應光電效應是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電
。光電現象由德國物理學家赫茲於1887年發現，而正確的解釋為愛因斯坦所提出。科學家們對光電效應的深入研究對發展量子理論起了根本性的作用。摺疊編輯本段詳細介紹光照射到某些物質上，引起物質的電性質發生變化，也就是光能量轉換成電能。這類光致電變的現象被人們統稱為光電效應(Photoelectric
effect)。
這一現象是1887年赫茲在實驗研究麥克斯韋電磁理論時偶然發現的。1888年，德國物理學家霍爾瓦克斯(Wilhelm
Hallwachs)證實是由於在放電間隙內出現荷電體的緣故。1899年，J·J·湯姆孫透過實驗證實該荷電體與陰極射線一樣是電子流。
1899—1902年間，勒納德(P·Lenard)對光電效應進行了系統研究，並命名為光電效應。1905年，愛因斯坦在《關於光的產生和轉化的一個啟發性觀點》一文中，用光量子理論對光電效應進行了全面的解釋。1916年，美國科學家密立根透過精密的定量實驗證明了愛因斯坦的理論解釋，從而也證明了光量子理論。摺疊光電效應1905年，愛因斯坦提出光子假設，成功解釋了光電效應，因此獲得1921年諾貝爾物理獎。
光照射到金屬上，引起物質的電性質發生變化。這類光變致電的現象被人們統稱為光電效應(Photoelectric
effect)。光電效應分為光電子發射、光電導效應和阻擋層光電效應，又稱光生伏特效應。前一種現象發生在物體表面，又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部，稱為內光電效應。 赫茲於1887年發現光電效應，愛因斯坦第一個成功的解釋了光電效應(金屬表面在光輻照作用下發射電子的效應，發射出來的電子叫做光電子)。光波長小於某一臨界值時方能發射電子，即極限波長，對應的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決於金屬材料，而發射電子的能量取決於光的波長而與光強度無關，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面。可事實是，只要光的頻率高於金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規定的能量單位(即光子或光量子)所組成。光電效應裡電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直於金屬表面射出，與光照方向無關。光是電磁波，但是光是高頻震盪的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產生影響。光電效應說明了光具有粒子性。相對應的，光具有波動性最典型的例子就是光的干涉和衍射。
只要光的頻率超過某一極限頻率，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子，發生光電效應。當在金屬外面加一個閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。 在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。但光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。 所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度(即單位時間內透過單位垂直面積的光能)決定於單位時間裡透過單位垂直面積的光子數，單位時間裡透過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。摺疊意義光電效應現象是赫茲在做證實麥克斯韋的電磁理論的火花放電實驗時偶然發現的，而這一現象卻成了突破麥克斯韋電磁理論的一個重要證據。愛因斯坦在研究光電效應時給出的光量子解釋不僅推廣了普朗克的量子理論，證明波粒二象性不只是能量才具有，光輻射本身也是量子化的，同時為唯物辯證法的對立統一規律提供了自然科學證據，具有不可估量的哲學意義。這一理論還為波爾的原子理論和德布羅意物質波理論奠定了基礎。
密立根的定量實驗研究不僅從實驗角度為光量子理論進行了證明，同時也為波爾原子理論提供了證據。1921年，愛因斯坦因建立光量子理論併成功解釋了光電效應而獲得諾貝爾物理學獎。1922年，玻爾原子理論也因密立根證實了光量子理論而獲得了實驗支援，從而獲得了諾貝爾物理學獎。1923年，密立根“因測量基本電荷和研究光電效應”獲諾貝爾物理學獎。摺疊方程在以愛因斯坦方式量化分析光電效應時使用以下方程：光子能量
= 移出一個電子所需的能量
被髮射的電子的動能代數形式：其中h是普朗克常數，ν是入射光子的頻率，是功函式，從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量，是被射出的電子的最大動能，ν0是光電效應發生的閾值頻率，m是被髮射電子的靜止質量，v是被髮射電子的速度，：如果光子的能量(hν)不大於功函式(
光電效應是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電
。光電現象由德國物理學家赫茲於1887年發現，而正確的解釋為愛因斯坦所提出。科學家們對光電效應的深入研究對發展量子理論起了根本性的作用。
光電效應光電效應是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電
。光電現象由德國物理學家赫茲於1887年發現，而正確的解釋為愛因斯坦所提出。科學家們對光電效應的深入研究對發展量子理論起了根本性的作用。摺疊編輯本段詳細介紹光照射到某些物質上，引起物質的電性質發生變化，也就是光能量轉換成電能。這類光致電變的現象被人們統稱為光電效應(Photoelectric
effect)。
這一現象是1887年赫茲在實驗研究麥克斯韋電磁理論時偶然發現的。1888年，德國物理學家霍爾瓦克斯(Wilhelm
Hallwachs)證實是由於在放電間隙內出現荷電體的緣故。1899年，J·J·湯姆孫透過實驗證實該荷電體與陰極射線一樣是電子流。
1899—1902年間，勒納德(P·Lenard)對光電效應進行了系統研究，並命名為光電效應。1905年，愛因斯坦在《關於光的產生和轉化的一個啟發性觀點》一文中，用光量子理論對光電效應進行了全面的解釋。1916年，美國科學家密立根透過精密的定量實驗證明了愛因斯坦的理論解釋，從而也證明了光量子理論。摺疊光電效應1905年，愛因斯坦提出光子假設，成功解釋了光電效應，因此獲得1921年諾貝爾物理獎。
光照射到金屬上，引起物質的電性質發生變化。這類光變致電的現象被人們統稱為光電效應(Photoelectric
effect)。光電效應分為光電子發射、光電導效應和阻擋層光電效應，又稱光生伏特效應。前一種現象發生在物體表面，又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部，稱為內光電效應。 赫茲於1887年發現光電效應，愛因斯坦第一個成功的解釋了光電效應(金屬表面在光輻照作用下發射電子的效應，發射出來的電子叫做光電子)。光波長小於某一臨界值時方能發射電子，即極限波長，對應的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決於金屬材料，而發射電子的能量取決於光的波長而與光強度無關，這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾，即光電效應的瞬時性，按波動性理論，如果入射光較弱，照射的時間要長一些，金屬中的電子才能積累住足夠的能量，飛出金屬表面。可事實是，只要光的頻率高於金屬的極限頻率，光的亮度無論強弱，光子的產生都幾乎是瞬時的，不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規定的能量單位(即光子或光量子)所組成。光電效應裡電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直於金屬表面射出，與光照方向無關。光是電磁波，但是光是高頻震盪的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產生影響。光電效應說明了光具有粒子性。相對應的，光具有波動性最典型的例子就是光的干涉和衍射。
只要光的頻率超過某一極限頻率，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子，發生光電效應。當在金屬外面加一個閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。 在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。但光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。 所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度(即單位時間內透過單位垂直面積的光能)決定於單位時間裡透過單位垂直面積的光子數，單位時間裡透過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。摺疊意義光電效應現象是赫茲在做證實麥克斯韋的電磁理論的火花放電實驗時偶然發現的，而這一現象卻成了突破麥克斯韋電磁理論的一個重要證據。愛因斯坦在研究光電效應時給出的光量子解釋不僅推廣了普朗克的量子理論，證明波粒二象性不只是能量才具有，光輻射本身也是量子化的，同時為唯物辯證法的對立統一規律提供了自然科學證據，具有不可估量的哲學意義。這一理論還為波爾的原子理論和德布羅意物質波理論奠定了基礎。
密立根的定量實驗研究不僅從實驗角度為光量子理論進行了證明，同時也為波爾原子理論提供了證據。1921年，愛因斯坦因建立光量子理論併成功解釋了光電效應而獲得諾貝爾物理學獎。1922年，玻爾原子理論也因密立根證實了光量子理論而獲得了實驗支援，從而獲得了諾貝爾物理學獎。1923年，密立根“因測量基本電荷和研究光電效應”獲諾貝爾物理學獎。摺疊方程在以愛因斯坦方式量化分析光電效應時使用以下方程：光子能量
= 移出一個電子所需的能量
被髮射的電子的動能代數形式：其中h是普朗克常數，ν是入射光子的頻率，是功函式，從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量，是被射出的電子的最大動能，ν0是光電效應發生的閾值頻率，m是被髮射電子的靜止質量，v是被髮射電子的速度，：如果光子的能量(hν)不大於功函式(