數碼單反相機採用CMOS和CCD的優劣對比：
1、ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外裝置壓縮單一畫素的感光區域的表面積，因此 相同畫素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。
2、成本差異：CMOS 應用半導體工業常用的 MOS製程，可以一次整合全部周邊設施於單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本和良率的損失；相對地 CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另闢傳輸通道，如果通道中有一個畫素故障（Fail），就會導致一整排的訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另闢傳輸通道和外加ADC等周邊，CCD的製造成本相對高於CMOS。
3、解析度差異：在第一點“感光度差異”中，由於CMOS每個畫素的結構比CCD複雜，其感光開口不及CCD大， 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS感光原件已經可達到1400萬畫素/全畫幅的設計，CMOS技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難，特別是全畫幅 24mmX36mm 這樣的大小。
4、噪點差異：由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器，如果以百萬畫素計，那麼就需要百萬個以上的ADC放大器，雖然是統一製造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。
5、耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動式， 必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此CCD還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使CCD的電量遠高於CMOS。
數碼單反相機採用CMOS和CCD的優劣對比：
1、ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外裝置壓縮單一畫素的感光區域的表面積，因此 相同畫素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。
2、成本差異：CMOS 應用半導體工業常用的 MOS製程，可以一次整合全部周邊設施於單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本和良率的損失；相對地 CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另闢傳輸通道，如果通道中有一個畫素故障（Fail），就會導致一整排的訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另闢傳輸通道和外加ADC等周邊，CCD的製造成本相對高於CMOS。
3、解析度差異：在第一點“感光度差異”中，由於CMOS每個畫素的結構比CCD複雜，其感光開口不及CCD大， 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS感光原件已經可達到1400萬畫素/全畫幅的設計，CMOS技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難，特別是全畫幅 24mmX36mm 這樣的大小。
4、噪點差異：由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個ADC放大器，如果以百萬畫素計，那麼就需要百萬個以上的ADC放大器，雖然是統一製造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。
5、耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動式， 必須外加電壓讓每個畫素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此CCD還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使CCD的電量遠高於CMOS。