場效電晶體（FET，Field Effect Transistor)電壓產生的電場來控制管子工作的。現在最常用的是MOSFET（M是金屬，O是氧化物，S是半導體），三者恰好形成一個電容，中間的氧化物作為電容的電介質。電子往電勢高的地方（正極）流動聚集，空穴向電勢低的地方（負極）流動聚集。以N管為例：（1）在不加電源的情況下，源極和漏極都充滿了電子，是N型半導體，而它們之間的襯底卻是P型半導體，相當於兩個反串的PN接面，電阻很大。也可以理解為兩個導體被中間的襯底隔離開了。此時無法導電。（2）在柵極上加上一個正電壓之後，這個電壓在柵極和襯底之間形成了一個柵極指向襯底的電場，這個電場吸引電子，使電子在柵氧化層下方聚集，同時將空穴排斥開。隨著柵壓的升高，電子的濃度越來越大，空穴濃度越來越小。本來柵氧化層邊緣的襯底為P型半導體，空穴濃度大於電子濃度，但是當柵極電壓加到一定程度（Vth）時，電子的濃度開始超過空穴濃度，此時P型襯底變為N型襯底，也就是變成“溝道”將源極和漏極連起來了，此時就可以導電了。（3）柵極的電壓必須比源極或漏極高一個Vth，對應端的溝道才能導通，不然就會夾斷。導通部分電阻很小，夾斷部分電阻非常大（即空間電荷區）。（4）溝道兩端同時夾斷，就工作在截止區；只有一端夾斷，就工作在飽和區；沒有夾斷，就工作線上性區。截止區就相當於斷開不工作，飽和區相當於一個電流源，線性區相當於一個電阻。總之，場效電晶體就是靠這個“溝道”來工作的，沒有“溝道”就休眠了。
場效電晶體（FET，Field Effect Transistor)電壓產生的電場來控制管子工作的。現在最常用的是MOSFET（M是金屬，O是氧化物，S是半導體），三者恰好形成一個電容，中間的氧化物作為電容的電介質。電子往電勢高的地方（正極）流動聚集，空穴向電勢低的地方（負極）流動聚集。以N管為例：（1）在不加電源的情況下，源極和漏極都充滿了電子，是N型半導體，而它們之間的襯底卻是P型半導體，相當於兩個反串的PN接面，電阻很大。也可以理解為兩個導體被中間的襯底隔離開了。此時無法導電。（2）在柵極上加上一個正電壓之後，這個電壓在柵極和襯底之間形成了一個柵極指向襯底的電場，這個電場吸引電子，使電子在柵氧化層下方聚集，同時將空穴排斥開。隨著柵壓的升高，電子的濃度越來越大，空穴濃度越來越小。本來柵氧化層邊緣的襯底為P型半導體，空穴濃度大於電子濃度，但是當柵極電壓加到一定程度（Vth）時，電子的濃度開始超過空穴濃度，此時P型襯底變為N型襯底，也就是變成“溝道”將源極和漏極連起來了，此時就可以導電了。（3）柵極的電壓必須比源極或漏極高一個Vth，對應端的溝道才能導通，不然就會夾斷。導通部分電阻很小，夾斷部分電阻非常大（即空間電荷區）。（4）溝道兩端同時夾斷，就工作在截止區；只有一端夾斷，就工作在飽和區；沒有夾斷，就工作線上性區。截止區就相當於斷開不工作，飽和區相當於一個電流源，線性區相當於一個電阻。總之，場效電晶體就是靠這個“溝道”來工作的，沒有“溝道”就休眠了。