VDMOS：Vertical Diffused MOS，垂直擴散MOSFET
VDMOS的漏極在矽片背面，溝道在兩個維度上包圍源極，所以叫“垂直”，實際上柵極依然是水平的。VDMOS是PowerMOS（大功率MOS器件）的一種，透過垂直設計減小溝道場強，可以使短溝道承受很高的電壓和電流。
缺點是漏極要從背面引出，很難用和主流積體電路工藝相容。
LDMOS： Laterally Diffused MOSFET，水平擴散MOSFET。
也是PowerMOS的一種，和VDMOS的區別是去掉了背部的漏極引出，方便相容其它工藝，和其他積體電路整合在同一塊晶片上。
可以看到LDMOS把背部的Drain引出挪到了右邊，代價是相對VDMOS面積變大了。
SGT MOS：Shielded-Gate Trench MOSFET，遮蔽柵溝槽MOSFET
還是PowerMOS，這個是真·垂直結構了。
在矽片上刻出深槽，把柵極埋到深槽裡，同時柵極下方還埋有另一條金屬。溝道完全變成垂直的。
優點是寄生電容很小（垂直方向厚氧化層+shielding減小Cgs和Cgd），真·垂直結構使得面積也較小。
缺點不大瞭解，可能比較貴吧。
CoolMOS：英飛凌公司發明的一種結構，它們起了這麼個名字
沒錯，這依然是個PowerMOS！題主你上哪找了那麼多PowerMOS來問……
這是一種VDMOS的改進結構，透過加深VDMOS溝道之外body的摻雜深度，在不加大正向導通電阻的前提下提高器件關斷時的反向耐壓。
優點是解決了VDMOS正向導通電阻和反向耐壓的矛盾（VDMOS提高摻雜會減小電阻但同時減小耐壓），缺點嘛，你問英飛凌吧……
VDMOS：Vertical Diffused MOS，垂直擴散MOSFET
VDMOS的漏極在矽片背面，溝道在兩個維度上包圍源極，所以叫“垂直”，實際上柵極依然是水平的。VDMOS是PowerMOS（大功率MOS器件）的一種，透過垂直設計減小溝道場強，可以使短溝道承受很高的電壓和電流。
缺點是漏極要從背面引出，很難用和主流積體電路工藝相容。
LDMOS： Laterally Diffused MOSFET，水平擴散MOSFET。
也是PowerMOS的一種，和VDMOS的區別是去掉了背部的漏極引出，方便相容其它工藝，和其他積體電路整合在同一塊晶片上。
可以看到LDMOS把背部的Drain引出挪到了右邊，代價是相對VDMOS面積變大了。
SGT MOS：Shielded-Gate Trench MOSFET，遮蔽柵溝槽MOSFET
還是PowerMOS，這個是真·垂直結構了。
在矽片上刻出深槽，把柵極埋到深槽裡，同時柵極下方還埋有另一條金屬。溝道完全變成垂直的。
優點是寄生電容很小（垂直方向厚氧化層+shielding減小Cgs和Cgd），真·垂直結構使得面積也較小。
缺點不大瞭解，可能比較貴吧。
CoolMOS：英飛凌公司發明的一種結構，它們起了這麼個名字
沒錯，這依然是個PowerMOS！題主你上哪找了那麼多PowerMOS來問……
這是一種VDMOS的改進結構，透過加深VDMOS溝道之外body的摻雜深度，在不加大正向導通電阻的前提下提高器件關斷時的反向耐壓。
優點是解決了VDMOS正向導通電阻和反向耐壓的矛盾（VDMOS提高摻雜會減小電阻但同時減小耐壓），缺點嘛，你問英飛凌吧……