有1000V和500V搖表兩個搖表，還有萬能表。二極體能夠正常工作的最高電壓,超過這個電壓可能會損壞二極體。二極體特性：正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN接面內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN接面內電場被克服，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極體正向導通。這個電壓叫做門坎電壓或閾值電壓，矽管約為0.5V，鍺管約為0.1V。矽二極體的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.3V。反向性外加反向電壓不超過一定範圍時，透過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極體的反向飽和電流受溫度影響很大。一般矽管的反向電流比鍺管小得多，小功率矽管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。擊穿外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其效能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。
有1000V和500V搖表兩個搖表，還有萬能表。二極體能夠正常工作的最高電壓,超過這個電壓可能會損壞二極體。二極體特性：正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN接面內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN接面內電場被克服，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極體正向導通。這個電壓叫做門坎電壓或閾值電壓，矽管約為0.5V，鍺管約為0.1V。矽二極體的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.3V。反向性外加反向電壓不超過一定範圍時，透過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極體的反向飽和電流受溫度影響很大。一般矽管的反向電流比鍺管小得多，小功率矽管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。擊穿外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其效能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。