答：GTO和普通閘流體同為PNPN接面構，由P1N1P2和N1P2N2構成兩個電晶體V1、V2,分

別具有共基極電流增益1a和2a，由普通閘流體的分析可得，1a+2a=1是器件臨界導通

的條件。1a+2a＞1，兩個等效電晶體過飽和而導通；1a+2a＜1，不能維持飽和導通而

關斷。

GTO之所以能夠自行關斷，而普通閘流體不能，是因為GTO與普通閘流體在設計和

工藝方面有以下幾點不同：

1)GTO在設計時2a較大，這樣電晶體V2控制靈敏，易於GTO關斷；

2)GTO導通時的1a+2a更接近於1，普通閘流體1a+2a3?1.15，而GTO則為

1a+2a?1.05，GTO的飽和程度不深，接近於臨界飽和，這樣為門極控制關斷提供了有利

條件；

3)多元整合結構使每個GTO元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得

P2極區所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。

答：gto和普通閘流體同為pnpn結構，由p1n1p2和n1p2n2構成兩個電晶體v1、v2,分

別具有共基極電流增益1a和2a，由普通閘流體的分析可得，1a+2a=1是器件臨界導通

的條件。1a+2a＞1，兩個等效電晶體過飽和而導通；1a+2a＜1，不能維持飽和導通而

關斷。

gto之所以能夠自行關斷，而普通閘流體不能，是因為gto與普通閘流體在設計和

工藝方面有以下幾點不同：

1)gto在設計時2a較大，這樣電晶體v2控制靈敏，易於gto關斷；

2)gto導通時的1a+2a更接近於1，普通閘流體1a+2a3?1.15，而gto則為

1a+2a?1.05，gto的飽和程度不深，接近於臨界飽和，這樣為門極控制關斷提供了有利

條件；

3)多元整合結構使每個gto元陰極面積很小，門極和陰極間的距離大為縮短，使得

p2極區所謂的橫向電阻很小，從而使從門極抽出較大的電流成為可能。