因功率MOSFET具有開關速度快，峰值電流大，容易驅動，安全工作區寬，dV/dt耐量高等優點，在小功率電子裝置中得到了廣泛應用。但是由於導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極體導致通態電阻增加，因此在大功率電子裝置中的應用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅動，安全工作區寬，峰值電流大，堅固耐用等，一般來講，IGBT的開關速度低於功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的開關特性非常接近功率MOSFET，而且導通特性也不受工作電壓的影響。由於IGBT內部不存在反向二極體，使用者可以靈活選用外接恢復二極體，這個特性是優點還是缺點，應根據工作頻率，二極體的價格和電流容量等引數來衡量。IGBT的內部結構，電路符號及等效電路如圖1所示。可以看出，除了P襯底外，IGBT的剖面與功率MOSFET相同。儘管IGBT與功率MOSFET的結構有許多相同之處，但是IGBT的工作過程非常接近極型電晶體。這是由於襯底P注入的少子使N區載流子濃度得到顯著提高，產生電導通調製效應，從而降低了N區的導通壓降。而功率MOSFET的結構不利於電導調製，因此，在N區中產生很大在導通壓降，對500V的MOSFET來說，該導通壓降大約為70%。如等效電路所示，IGBT可等效為N溝道MOSFET驅動PNP管的達頓結構。結型場效電晶體JFET承受大部分電壓，並且讓MOSFET承受較低的電壓，因此，IGBT具有較低的導通電阻RDS(ON).
因功率MOSFET具有開關速度快，峰值電流大，容易驅動，安全工作區寬，dV/dt耐量高等優點，在小功率電子裝置中得到了廣泛應用。但是由於導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極體導致通態電阻增加，因此在大功率電子裝置中的應用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅動，安全工作區寬，峰值電流大，堅固耐用等，一般來講，IGBT的開關速度低於功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的開關特性非常接近功率MOSFET，而且導通特性也不受工作電壓的影響。由於IGBT內部不存在反向二極體，使用者可以靈活選用外接恢復二極體，這個特性是優點還是缺點，應根據工作頻率，二極體的價格和電流容量等引數來衡量。IGBT的內部結構，電路符號及等效電路如圖1所示。可以看出，除了P襯底外，IGBT的剖面與功率MOSFET相同。儘管IGBT與功率MOSFET的結構有許多相同之處，但是IGBT的工作過程非常接近極型電晶體。這是由於襯底P注入的少子使N區載流子濃度得到顯著提高，產生電導通調製效應，從而降低了N區的導通壓降。而功率MOSFET的結構不利於電導調製，因此，在N區中產生很大在導通壓降，對500V的MOSFET來說，該導通壓降大約為70%。如等效電路所示，IGBT可等效為N溝道MOSFET驅動PNP管的達頓結構。結型場效電晶體JFET承受大部分電壓，並且讓MOSFET承受較低的電壓，因此，IGBT具有較低的導通電阻RDS(ON).