Nand Flash由於本身硬體的內在特性，會導致（極其）偶爾的出現位反轉的現象。
所謂的位反轉，bit flip，指的是原先Nand Flash中的某個位，變化了，即要麼從1變成0了，要麼從0變成1了。
Nand Flash的位反轉現象，主要是由以下一些原因/效應所導致：
1.漂移效應（Drifting Effects）
漂移效應指的是，Nand Flash中cell的電壓值，慢慢地變了，變的和原始值不一樣了。
2.程式設計干擾所產生的錯誤（Program-Disturb Errors）
此現象有時候也叫做，過度程式設計效應（over-program effect）。
對於某個頁面的程式設計操作，即寫操作，引起非相關的其他的頁面的某個位跳變了。
3.讀操作干擾產生的錯誤（Read-Disturb Errors）
此效應是，對一個頁進行資料讀取操作，卻使得對應的某個位的資料，產生了永久性的變化，即Nand Flash上的該位的值變了。
如果只是對於單個位的跳變，也許問題看起來並不是很嚴重。然而，如果恰巧是某個重要檔案的某位變化了，那麼問題就嚴重了。
如果位反轉，只是讀取資料出來時候報告出來的位反轉，那麼很簡單，只需要重新再去讀取一次資料，即可解決此問題。
但是，如果是Nand Flash物理上的某個位真正的翻轉了，那麼需要透過對應的ECC校驗去解決。
相對Nor Flash來說，Nand Flash中，位反轉的現象，相對更加容易發生。因此，Nand Flash廠家都推薦，在使用Nand Flash的時候，最好要應用ECC演算法。
當Nand Flash應用於多媒體資訊，比如儲存音影片檔案，那麼位反轉所造成的問題，並不嚴重。
當用於儲存作業系統，配置檔案和其他敏感資訊的時候，必須要用ECC，以實現資料的校驗，保證資料的正確性。
Nand Flash由於本身硬體的內在特性，會導致（極其）偶爾的出現位反轉的現象。
所謂的位反轉，bit flip，指的是原先Nand Flash中的某個位，變化了，即要麼從1變成0了，要麼從0變成1了。
Nand Flash的位反轉現象，主要是由以下一些原因/效應所導致：
1.漂移效應（Drifting Effects）
漂移效應指的是，Nand Flash中cell的電壓值，慢慢地變了，變的和原始值不一樣了。
2.程式設計干擾所產生的錯誤（Program-Disturb Errors）
此現象有時候也叫做，過度程式設計效應（over-program effect）。
對於某個頁面的程式設計操作，即寫操作，引起非相關的其他的頁面的某個位跳變了。
3.讀操作干擾產生的錯誤（Read-Disturb Errors）
此效應是，對一個頁進行資料讀取操作，卻使得對應的某個位的資料，產生了永久性的變化，即Nand Flash上的該位的值變了。
如果只是對於單個位的跳變，也許問題看起來並不是很嚴重。然而，如果恰巧是某個重要檔案的某位變化了，那麼問題就嚴重了。
如果位反轉，只是讀取資料出來時候報告出來的位反轉，那麼很簡單，只需要重新再去讀取一次資料，即可解決此問題。
但是，如果是Nand Flash物理上的某個位真正的翻轉了，那麼需要透過對應的ECC校驗去解決。
相對Nor Flash來說，Nand Flash中，位反轉的現象，相對更加容易發生。因此，Nand Flash廠家都推薦，在使用Nand Flash的時候，最好要應用ECC演算法。
當Nand Flash應用於多媒體資訊，比如儲存音影片檔案，那麼位反轉所造成的問題，並不嚴重。
當用於儲存作業系統，配置檔案和其他敏感資訊的時候，必須要用ECC，以實現資料的校驗，保證資料的正確性。