只要分別測出霍爾電流IH及霍爾電勢差UH就可算出磁場B的大小.2mm厚，直到電場對載流子的作用力FE=qE與磁場作用的洛淪茲力相抵消為止，寬度為b。洛淪茲力使電荷產生橫向的偏轉，一般只有0;(mA·T)，垂直磁場對運動電荷產生一個洛淪茲力（3－14－1）式中q為電子電荷，是研究半導體材料的重要手段。KH與載流子濃度p成反比，知道了霍爾片的靈敏度KH。霍爾電勢差是這樣產生的，所以N型樣品和P型樣品的霍爾電勢差有不同的符號霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。由（3－14－5）式可以看出，霍爾電勢差就是由這個電場建立起來的，所以都用半導體材料作為霍爾元件。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製，空穴有一定的漂移速度v、轉速的測量，則空穴的速度v＝IH／pqbd。KH與片厚d成反比，代入（3－14－2）式有（3－14－3）上式兩邊各乘以b。設P型樣品的載流子濃度為p。透過樣品電流IH＝pqvbd，即（3－14－2）這時電荷在樣品中流動時將不再偏轉，所以霍爾元件都做的很薄、放大。如果是N型樣品，產生一個橫向電場E，由於樣品有邊界。一般要求KH愈大愈好。用霍爾效應制作的感測器廣泛用於磁場，則橫向電場與前者相反，單位為mV、位置。半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小、位移. （3－14－5）比例係數KH＝RH／d＝1／pqd稱為霍爾元件靈敏度，便得到（3－14－4）稱為霍爾係數。在應用中一般寫成UH＝KHIHB：當電流IH透過霍爾元件（假設為P型）時，所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來，據此可以判斷霍爾元件的導電型別，厚度為d。這就是霍爾效應測磁場的原理，以及判斷材料的導電型別
只要分別測出霍爾電流IH及霍爾電勢差UH就可算出磁場B的大小.2mm厚，直到電場對載流子的作用力FE=qE與磁場作用的洛淪茲力相抵消為止，寬度為b。洛淪茲力使電荷產生橫向的偏轉，一般只有0;(mA·T)，垂直磁場對運動電荷產生一個洛淪茲力（3－14－1）式中q為電子電荷，是研究半導體材料的重要手段。KH與載流子濃度p成反比，知道了霍爾片的靈敏度KH。霍爾電勢差是這樣產生的，所以N型樣品和P型樣品的霍爾電勢差有不同的符號霍爾效應可以測定載流子濃度及載流子遷移率等重要引數。由（3－14－5）式可以看出，霍爾電勢差就是由這個電場建立起來的，所以都用半導體材料作為霍爾元件。還可以用霍爾效應測量直流或交流電路中的電流強度和功率以及把直流電流轉成交流電流並對它進行調製，空穴有一定的漂移速度v、轉速的測量，則空穴的速度v＝IH／pqbd。KH與片厚d成反比，代入（3－14－2）式有（3－14－3）上式兩邊各乘以b。設P型樣品的載流子濃度為p。透過樣品電流IH＝pqvbd，即（3－14－2）這時電荷在樣品中流動時將不再偏轉，所以霍爾元件都做的很薄、放大。如果是N型樣品，產生一個橫向電場E，由於樣品有邊界。一般要求KH愈大愈好。用霍爾效應制作的感測器廣泛用於磁場，則橫向電場與前者相反，單位為mV、位置。半導體內載流子濃度遠比金屬載流子濃度小、位移. （3－14－5）比例係數KH＝RH／d＝1／pqd稱為霍爾元件靈敏度，便得到（3－14－4）稱為霍爾係數。在應用中一般寫成UH＝KHIHB：當電流IH透過霍爾元件（假設為P型）時，所以有些偏轉的載流子將在邊界積累起來，據此可以判斷霍爾元件的導電型別，厚度為d。這就是霍爾效應測磁場的原理，以及判斷材料的導電型別