你的理解沒有錯誤，理解到這種程度已經下了功夫了。但確實還有一點問題，主要在於：

1、過於在意“極電結正偏”了。其實，在飽和區，即便是極電結正偏，也還沒有達到極電結的正向導通電壓。不過，一般人都會被“正偏”誤導。

2、飽和的含義：集電極電流是隨著基極電流的增大而增大的，當集電極電流增大到一定程度時，再增加基極電流，集電極電流不再隨著增加了，這種現象就叫做飽和。而“三極體如工作在飽和狀態，那麼就是雙結正偏”是現象或因果關係，也不算解釋。飽和的實質正是由於集電結正偏而使Ic脫離了與Ib的線性關係（請複習三極體構造）。

3、三極體的飽和狀態，是包括Ic趨於0的狀態的，這一點請自已體會、理解。

4、透過給三極體發射結加上正向導通偏壓，同時給集電結加上正偏，三極體一定是在飽和區（一定不在放大區，包含Ic為零的情形）。 以上這些關鍵點，補課也補不來的。當然，不學的人也看不到這個問題。

三極體飽和後C、E間視為短路.三極體截止後C、E間視為開路.

三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。

三極體飽和狀態下的特點:

要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即IB≥IBS。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（UCES）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降UBES＝0.7V（鍺管UBES＝－0.3V），而UCES＝0.3V，可見，UBE＞0，UBC＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。三極體飽和後，C、E間的飽和電阻RCE＝UCES／ICS，UCES很小，ICS最大，故飽和電阻RCES很小。.飽和後IC不會隨著IB的增加再增加，三極體飽和後C、E間視為短路。

三極體截止狀態下的特點:

要使三極體處於截止狀態，必須基極電流IB＝0，此時集電極IC＝ICEO≈0（ICEO為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式UCE＝EC－ICRC，集電極與發射極間的電壓UCE≈EC。三極體截止時，基極電流IB＝0，而集電極與發射極間的電壓UCE≈ECO可見，UBE≤0，UBC＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，C、E間的截止電阻RCE＝UCE／IC，UCES很大，等於電源電壓，ICS極小，C、E間電阻RCE很大，所以，三極體截止後C、E間視為開路.

.三極體放大狀態下的特點:

要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜IB＜IBS。三極體放大時，基極電流IB＞0，對矽管來說，發射結的壓降UBE＝0.7V（鍺管UBE＝－0.3V），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓UCE＞1V以上，UBE＞0，UBC＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，IB與IC成唯一對應關係。當IB增大時，IC也增大，並且1B增大一倍，IC也增大一倍。所以，IC主要受IB控制而變化，且IC的變化比IB的變化大得多，即集電極電流IC＝β×IB。