PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
如何判斷MOS管處於飽和區、截止區和三極體區？本教程予以簡單且有效的方法。本教程以NMOS管為例來說明。
1、當VGS<Vt時，則MOS管處於截止區。就是說當柵源電壓低於閾值電壓時，則管子不導通。
2、當Vt<VDS<VGS時，MOS管處於三極體區。這時MOS管相當於一個小的電阻。
3、當VGS-Vt<VDS時，MOS管處於飽和區。如果不考慮EARLYEFFECT，我們可以認為漏端電流與VDS無關。
PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔矽基有機-無機雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無機組分在孔壁中雜化的材料，這類材料有著許多獨特的性質：有機官能團均勻分佈在孔壁中且不堵塞孔道，有利於客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調節材料的物化性質，如機械效能，親/疏水性；可以同時實現對孔道和孔壁功能性的調變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學領域的一個研究熱點。
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。
如何判斷MOS管處於飽和區、截止區和三極體區？本教程予以簡單且有效的方法。本教程以NMOS管為例來說明。
1、當VGS<Vt時，則MOS管處於截止區。就是說當柵源電壓低於閾值電壓時，則管子不導通。
2、當Vt<VDS<VGS時，MOS管處於三極體區。這時MOS管相當於一個小的電阻。
3、當VGS-Vt<VDS時，MOS管處於飽和區。如果不考慮EARLYEFFECT，我們可以認為漏端電流與VDS無關。
PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔矽基有機-無機雜化材料。它是一種分子水平上有機組分與無機組分在孔壁中雜化的材料，這類材料有著許多獨特的性質：有機官能團均勻分佈在孔壁中且不堵塞孔道，有利於客體分子的引入和擴散；骨架中的有機官能團可以在一定程度L調節材料的物化性質，如機械效能，親/疏水性；可以同時實現對孔道和孔壁功能性的調變．正因如此，PMOs已成為當今材料科學領域的一個研究熱點。