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  • 1 # pzugf1036

    問的很簡練,且看似簡單。而答的有三兩句,有長篇大論甚至還用了兩貼才算了事,可謂五花八門呀。一句問,成百句答。答清楚了嗎?到底可控矽和固態繼電器的區別是什麼? 可控矽可以是單向的,也可以是雙向的,可以過零觸發也可以移相觸發,固態繼電器同樣是如此的。所以,他們的用途、形式都是一樣型別產品,從這一點上(使用的形式、性質角度)沒有區別,因為固態繼電器也是可控矽做的(三極體的固態繼電器除外)。那麼他們的區別到底在那呢?總不會一個東西,兩個名字吧?他們的區別就在於,可控矽就是可控矽,固態繼電器則是可控矽+同步觸發驅動。這就是區別。 現在有一種叫“智慧化可控矽模組”,他把可控矽元件、同步觸發驅動做在一個模組裡了,這種可控矽與固態繼電器已經無法區分了。當然,從形狀上可以區分。 1、工作原理 可控矽是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN接面,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。 當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處於放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發訊號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向反饋迴圈的結果,兩個管子的電流劇增,可控矽使飽和導通。 由於BG1和BG2所構成的正反饋作用,所以一旦可控矽導通後,即使控制極G的電流消失了,可控矽仍然能夠維持導通狀態,由於觸發訊號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控矽是不可關斷的。 由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化。 狀態說明 從關斷到導通 1、陽極電位高於是陰極電位 2、控制極有足夠的正向電壓和電流 兩者缺一不可 維持導通 1、陽極電位高於陰極電位 2、陽極電流大於維持電流 兩者缺一不可 從導通到關 1、陽極電位低於陰極電位 2、陽極電流小於維持電流 任一條件即可 2、基本伏安特性 (1)反向特性 當控制極開路,陽極加上反向電壓時,J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後,接差J3結也擊穿,電流迅速增加,特性發生了彎曲,彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時,可控矽會發生永久性反向擊穿。 (2)正向特性 當控制極開路,陽極上加上正向電壓時,J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN接面的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,特性發生了彎曲,彎曲處的是UBO叫,正向轉折電壓 陽極加正向電壓 由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後,J2結髮生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區透過J1結注入N1區的空穴複合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區透過J3結注入P2區的電子複合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性。 這時J1、J2、J3三個結均處於正偏,可控矽便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的PN接面正向特性相似, 3、觸發導通 在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進入P2區,形成觸發電流IGT。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上,加上IGT的作用,使可控矽提前導通,導致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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