1、定義不同
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。
閘流體（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽。
2、原理不同
三極體：
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子，
在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，
發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
閘流體：閘流體在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連線，組成閘流體的主電路，閘流體的門極G和陰極K與控制閘流體的裝置連線，組成閘流體的控制電路。
3、作用不同
三極體：晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。
我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號“β”表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。
閘流體：閘流體是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和控制極； 閘流體具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
1、定義不同
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。
閘流體（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽。
2、原理不同
三極體：
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和矽管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是矽NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度矽中加入磷取代一些矽原子，
在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代矽，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN矽管的電流放大原理。對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，
發射區與基區之間形成的PN接面稱為發射結,而集電區與基區形成的PN接面稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。
當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Eb。
閘流體：閘流體在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連線，組成閘流體的主電路，閘流體的門極G和陰極K與控制閘流體的裝置連線，組成閘流體的控制電路。
3、作用不同
三極體：晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。
我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號“β”表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。
閘流體：閘流體是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和控制極； 閘流體具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。