霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：1、激勵電流I。2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量B。3、器件材料（決定靈明度係數K）。4、霍爾電勢的方向還與半導體是P型還是N型有關，兩者方向相反。設霍爾電勢為EH則：EH=KIB注：B為與電流垂直的磁感應強度分量。當電流垂直於外磁場透過半導體時，載流子發生偏轉，垂直於電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。霍爾效應使用左手定則判斷。擴充套件資料：在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場，電場力與洛倫茲力產生平衡之後，不再聚集。此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力，使得後來的電子和空穴能順利透過不會偏移，這個現象稱為霍爾效應。而產生的內建電壓稱為霍爾電壓。霍爾器件透過檢測磁場變化，轉變為電訊號輸出，可用於監視和測量汽車各部件執行引數的變化。例如位置、位移、角度、角速度、轉速等等，並可將這些變數進行二次變換；可測量壓力、質量、液位、流速、流量等。霍爾器件輸出量直接與電控單元介面，可實現自動檢測。如今的霍爾器件都可承受一定的振動，可在零下40攝氏度到零上150攝氏度範圍內工作，全部密封不受水油汙染，完全能夠適應汽車的惡劣工作環境。