相比於IGBT和BJT耐衝擊性好，故障率低。由於電導率負溫度係數，MOSFET可擴充套件性很好。大功率應用時，如成本不敏感，如軍用、工業、高階消費產品，MOSFET是最優選擇。低壓大電流領域是MOSFET的強項。IGBT是和功率MOSFET同步發展起來的一類開關器件，IGBT的優點在於做大功率時成本低，堪稱“窮人的法拉利”，耐壓比MOSFET容易做高。相比於BJT，更少被二次擊穿而失效。常用於高壓（600V)應用領域。以及低端大功率（2000W)裝置，如電磁爐、逆變器等。BJT是最老的開關器件，目前由於國內仍有一批尚未淘汰的BJT生產線沒有停產，仍然活躍於低端市場。低壓BJT開關頻率可以較高，但由於飽和CE壓降高達0.4V以上而遠遜於MOSFET，只被用在最低端領域。高壓BJT驅動麻煩，需使用低壓大電流的電流源驅動，一般使用變壓器驅動。在驅動不當或電壓應力過大時容易發生二次擊穿而失效。適合中功率(50~1000W)，對成本極度敏感的市場。BJT有兩種驅動方式，一種是基極開關，一種是射極開關。射極開關的效率和開關速度都優於基極開關，是BJT應用的潮流。答：MOSFET是穩定性最好的器件，不容易損壞。MOSFET常見的失效模式有：柵極擊穿。即柵極和源極之間的絕緣層破壞。此時的MOSFET（此處均指增強型MOSFET）無法開啟。封裝破裂。這是由瞬間高熱引起的。在瞬間產熱過大，散熱不良的情形下，樹脂封裝材料部分分解氣化並膨脹，把封裝撐裂。漏源極之間擊穿。這是MOSFET最嚴重的一種失效模式，通常不易發生。發生後會導致短路而非斷路。會導致強電源灌進弱電部分，如輸入電壓直接進入控制晶片而燒燬很多控制電路。通常是持續溫度太高引起的（管芯溫度大面積超過200度持續工作時才可能發生)IGBT穩定性比MOSFET稍差，但仍強過BJT。除了MOSFET的失效模式外，還有二次擊穿的失效模式。當IGBT持續超過安全工作區工作時，會出現還未大面積發熱就出現CE極擊穿的現象，這種擊穿稱為二次擊穿。IGBT出現二次擊穿的可能性比BJT小很多，但仍有可能出現。BJT常見的失效模式有：二次擊穿：最常見的失效模式，表現為晶片並未大面積發熱，但CE之間持續低阻。此時BJT已經損壞。如果是用在電源上沒有保護，則會進一步發展為整管熔燬。CB間絕緣破壞：比較少見，通常發生在整管熔燬時，或CB間承受的電壓高於VCBO時擊穿。熱擊穿：在高溫下管子熱失效。通常不易發生，因二次擊穿發生更加容易，先發生二次擊穿。MOSFET開關極快，而且是多子導電器件，沒有拖尾電流，損耗主要是開通時的輸出電容放電損耗。計算公式為:Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,V是MOSFET開通前一瞬間承受的電壓。IGBT開關速度較快，沒有儲存時間，但存在拖尾電流。拖尾電流，就是在VCE已經升高的情況下，CE之間仍然有一股小電流流通一段時間，拖尾電流導致的電流--電壓交叉損耗構成了IGBT的主要損耗。BJT開關速度慢，而且是少子器件，存在儲存時間。儲存時間就是基極電流已經切斷甚至反向，而集極和射極仍然保持完全導通的時間。在儲存時間後進入下降時間。下降時間是電壓、電流交叉的時間，交叉損耗發生在下降時間。低壓BJT由於β值高，下降時間比較短，儲存時間也可以透過肖特基箝位電路大幅減小，因此主要損耗在於導通損耗，開關損耗不太大。高壓BJT的儲存時間不容易透過箝位控制，下降時間也較長，主要損耗包括電流--電壓交叉損耗。但必須注意，採用射極開關的BJT沒有儲存時間，下降時間也很短，開關損耗可以達到MOSFET的水準。答：從損耗分析上來看，MOSFET的主要損耗是輸出電容放電損耗，因此需要實現零電壓開通，即開通前一瞬間DS電壓為0.電路形式有LLC半橋以及準方波諧振的變換器，如移相全橋ZVS，準諧振反激。IGBT的主要損耗來自拖尾電流，因此需要實現零電流關斷，消除拖尾電流，即關斷前一瞬間CE電流為0.電路形式有ZCS半橋、ZCS全橋。BJT的主要損耗和IGBT相仿，主要在關斷時有電流--電壓交叉損耗，因此也應實行零電流關斷。
相比於IGBT和BJT耐衝擊性好，故障率低。由於電導率負溫度係數，MOSFET可擴充套件性很好。大功率應用時，如成本不敏感，如軍用、工業、高階消費產品，MOSFET是最優選擇。低壓大電流領域是MOSFET的強項。IGBT是和功率MOSFET同步發展起來的一類開關器件，IGBT的優點在於做大功率時成本低，堪稱“窮人的法拉利”，耐壓比MOSFET容易做高。相比於BJT，更少被二次擊穿而失效。常用於高壓（600V)應用領域。以及低端大功率（2000W)裝置，如電磁爐、逆變器等。BJT是最老的開關器件，目前由於國內仍有一批尚未淘汰的BJT生產線沒有停產，仍然活躍於低端市場。低壓BJT開關頻率可以較高，但由於飽和CE壓降高達0.4V以上而遠遜於MOSFET，只被用在最低端領域。高壓BJT驅動麻煩，需使用低壓大電流的電流源驅動，一般使用變壓器驅動。在驅動不當或電壓應力過大時容易發生二次擊穿而失效。適合中功率(50~1000W)，對成本極度敏感的市場。BJT有兩種驅動方式，一種是基極開關，一種是射極開關。射極開關的效率和開關速度都優於基極開關，是BJT應用的潮流。答：MOSFET是穩定性最好的器件，不容易損壞。MOSFET常見的失效模式有：柵極擊穿。即柵極和源極之間的絕緣層破壞。此時的MOSFET（此處均指增強型MOSFET）無法開啟。封裝破裂。這是由瞬間高熱引起的。在瞬間產熱過大，散熱不良的情形下，樹脂封裝材料部分分解氣化並膨脹，把封裝撐裂。漏源極之間擊穿。這是MOSFET最嚴重的一種失效模式，通常不易發生。發生後會導致短路而非斷路。會導致強電源灌進弱電部分，如輸入電壓直接進入控制晶片而燒燬很多控制電路。通常是持續溫度太高引起的（管芯溫度大面積超過200度持續工作時才可能發生)IGBT穩定性比MOSFET稍差，但仍強過BJT。除了MOSFET的失效模式外，還有二次擊穿的失效模式。當IGBT持續超過安全工作區工作時，會出現還未大面積發熱就出現CE極擊穿的現象，這種擊穿稱為二次擊穿。IGBT出現二次擊穿的可能性比BJT小很多，但仍有可能出現。BJT常見的失效模式有：二次擊穿：最常見的失效模式，表現為晶片並未大面積發熱，但CE之間持續低阻。此時BJT已經損壞。如果是用在電源上沒有保護，則會進一步發展為整管熔燬。CB間絕緣破壞：比較少見，通常發生在整管熔燬時，或CB間承受的電壓高於VCBO時擊穿。熱擊穿：在高溫下管子熱失效。通常不易發生，因二次擊穿發生更加容易，先發生二次擊穿。MOSFET開關極快，而且是多子導電器件，沒有拖尾電流，損耗主要是開通時的輸出電容放電損耗。計算公式為:Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,V是MOSFET開通前一瞬間承受的電壓。IGBT開關速度較快，沒有儲存時間，但存在拖尾電流。拖尾電流，就是在VCE已經升高的情況下，CE之間仍然有一股小電流流通一段時間，拖尾電流導致的電流--電壓交叉損耗構成了IGBT的主要損耗。BJT開關速度慢，而且是少子器件，存在儲存時間。儲存時間就是基極電流已經切斷甚至反向，而集極和射極仍然保持完全導通的時間。在儲存時間後進入下降時間。下降時間是電壓、電流交叉的時間，交叉損耗發生在下降時間。低壓BJT由於β值高，下降時間比較短，儲存時間也可以透過肖特基箝位電路大幅減小，因此主要損耗在於導通損耗，開關損耗不太大。高壓BJT的儲存時間不容易透過箝位控制，下降時間也較長，主要損耗包括電流--電壓交叉損耗。但必須注意，採用射極開關的BJT沒有儲存時間，下降時間也很短，開關損耗可以達到MOSFET的水準。答：從損耗分析上來看，MOSFET的主要損耗是輸出電容放電損耗，因此需要實現零電壓開通，即開通前一瞬間DS電壓為0.電路形式有LLC半橋以及準方波諧振的變換器，如移相全橋ZVS，準諧振反激。IGBT的主要損耗來自拖尾電流，因此需要實現零電流關斷，消除拖尾電流，即關斷前一瞬間CE電流為0.電路形式有ZCS半橋、ZCS全橋。BJT的主要損耗和IGBT相仿，主要在關斷時有電流--電壓交叉損耗，因此也應實行零電流關斷。