解答：由於雪崩擊穿和齊納擊穿。
原因：二極體內部存在PN接面，在測量其特性時，如果加在PN接面上的反向電壓增大到一定數值時，反向電流會突然增加，這就是反向擊穿，其原因是：
當PN接面反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。產生漂移運動的少數載流子透過空間電荷區時，在很強的電場作用下獲得足夠的動能，與晶體原子發生碰撞，從而打破共價鍵的束縛，形成更多的自由電子—空穴對，這種現象稱為碰撞電離，新產生的電子和空穴在強電場作用下，和原來的一樣，繼續碰撞電離，再產生自由電子—空穴對，這是載流子的倍增效應。當反向電壓增大到一定程度時，載流子的倍增情況就像雪崩一樣，使反向電流急劇增大，於是PN接面被擊穿，此為雪崩擊穿。
在加有較高的反向電壓時，PN接面空間電荷區存在一個很強的電場，它可以破壞共價鍵的束縛，使原子分離，形成自由電子—空穴對，在電場作用下，電子移向N區，空穴移向P區，從而形成較大的反向電流，這種擊穿現象叫做齊納擊穿。
名詞解釋：
關於N型半導體（N為Negative的字頭，由於電子帶負電荷而得此名）：摻入少量雜質磷元素（或銻元素）的矽晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如矽原子）被雜質原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。於是，N型半導體就成為了含電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。
關於P型半導體（P為Positive的字頭，由於空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的矽晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如矽原子）被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個“空穴”，這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”，使得硼原子成為帶負電的離子。這樣，這類半導體由於含有較高濃度的“空穴”（“相當於”正電荷），成為能夠導電的物質。
關於PN接面：在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為PN接面。
在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交介面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。
在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交介面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交介面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。
最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN接面。PN接面的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。
備註：兩種電擊穿過程是可逆的，當加在PN接面兩端的反向電壓降低後，PN接面仍可以恢復到原來的狀態。但有一個前提條件，那就是反向電壓和反向電流的乘積不超過PN接面的耗散功率，超過了會因為熱量散不出去使PN接面溫度上升，直到過熱而燒燬，這種現象叫做熱擊穿。電擊穿往往與熱擊穿共存，但電擊穿可為人所用（如穩壓管（齊納二極體）），而熱擊穿應該儘量避免。
解答：由於雪崩擊穿和齊納擊穿。
原因：二極體內部存在PN接面，在測量其特性時，如果加在PN接面上的反向電壓增大到一定數值時，反向電流會突然增加，這就是反向擊穿，其原因是：
當PN接面反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。產生漂移運動的少數載流子透過空間電荷區時，在很強的電場作用下獲得足夠的動能，與晶體原子發生碰撞，從而打破共價鍵的束縛，形成更多的自由電子—空穴對，這種現象稱為碰撞電離，新產生的電子和空穴在強電場作用下，和原來的一樣，繼續碰撞電離，再產生自由電子—空穴對，這是載流子的倍增效應。當反向電壓增大到一定程度時，載流子的倍增情況就像雪崩一樣，使反向電流急劇增大，於是PN接面被擊穿，此為雪崩擊穿。
在加有較高的反向電壓時，PN接面空間電荷區存在一個很強的電場，它可以破壞共價鍵的束縛，使原子分離，形成自由電子—空穴對，在電場作用下，電子移向N區，空穴移向P區，從而形成較大的反向電流，這種擊穿現象叫做齊納擊穿。
名詞解釋：
關於N型半導體（N為Negative的字頭，由於電子帶負電荷而得此名）：摻入少量雜質磷元素（或銻元素）的矽晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如矽原子）被雜質原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。於是，N型半導體就成為了含電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。
關於P型半導體（P為Positive的字頭，由於空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的矽晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如矽原子）被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個“空穴”，這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”，使得硼原子成為帶負電的離子。這樣，這類半導體由於含有較高濃度的“空穴”（“相當於”正電荷），成為能夠導電的物質。
關於PN接面：在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導體，另一邊形成P型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為PN接面。
在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交介面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。
在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交介面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交介面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。
最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN接面。PN接面的內電場方向由N區指向P區。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。
備註：兩種電擊穿過程是可逆的，當加在PN接面兩端的反向電壓降低後，PN接面仍可以恢復到原來的狀態。但有一個前提條件，那就是反向電壓和反向電流的乘積不超過PN接面的耗散功率，超過了會因為熱量散不出去使PN接面溫度上升，直到過熱而燒燬，這種現象叫做熱擊穿。電擊穿往往與熱擊穿共存，但電擊穿可為人所用（如穩壓管（齊納二極體）），而熱擊穿應該儘量避免。