《泰德蘭電子》提供AOS美國萬代功率MOSFET的型號選型及應用問題分析以及mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC電源IC/霍尼韋爾(Honeywell)感測器等方案型號推薦---MOS管驅動設計電路參考佈線設計細節有哪些呢？
答：MOS管驅動設計一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那麼簡單。 如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好，因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗佔總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。 對於一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那麼MOS管開啟的速度就會越快。與此類MOS管驅動設計一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那麼簡單。
如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好，因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗佔總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
對於一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那麼MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那麼MOS管關斷的速度也就越快。由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM晶片輸出直接驅動MOS或者用三極體放大後再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的。
比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動晶片，這類的晶片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還相容TTL電平輸入，MOSFET驅動晶片的內部結構。
需要注意
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振盪電路，如果直接把驅動晶片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震盪，導致MOS管急劇發熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯10歐左右的電阻，降低LC振盪電路的Q值，使震盪迅速衰減掉。
因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以建議在MOS管G S之間並聯一個10K的電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再並聯一個18V左右的TVS瞬態抑制二極體，TVS可以認為是一個反應速度很快的穩壓管，其瞬間可以承受的功率高達幾百至上千瓦，可以用來吸收瞬間的干擾脈衝。
MOS管驅動電路參考
佈線設計
MOS管驅動線路的環路面積要儘可能小，否則可能會引入外來的電磁干擾，驅動晶片的旁路電容要儘量靠近驅動晶片的VCC和GND引腳，否則走線的電感會很大程度上影響晶片的瞬間輸出電流。
常見驅動波形
1、如果出現了這樣圓不溜秋的波形就等著核爆吧。有很大一部分時間管子都工作線上性區，損耗極其巨大。
一般這種情況是佈線太長電感太大，柵極電阻都救不了你，只能重新畫板子。
2、高頻振鈴嚴重的毀容方波。在上升下降沿震盪嚴重，這種情況管子一般瞬間死掉，跟上一個情況差不多，進線性區。原因也類似，主要是佈線的問題。又胖又圓的肥豬波。上升下降沿極其緩慢，這是因為阻抗不匹配導致的。晶片驅動能力太差或者柵極電阻太大。
果斷換大電流的驅動晶片，柵極電阻往小調調就OK了。
打腫臉充正弦的生於方波他們家的三角波。驅動電路阻抗超大發了。此乃管子必殺波。解決方法同上。
3、大眾臉型，人見人愛的方波。高低電平分明，電平這時候可以叫電平了，因為它平。邊沿陡峭，開關速度快，損耗很小，略有震盪，可以接受，管子進不了線性區，強迫症的話可以適當調大柵極電阻。
4、方方正正的帥哥波，無振鈴無尖峰無線性損耗的三無產品，這就是最完美的波形了。
《泰德蘭電子》提供AOS美國萬代功率MOSFET的型號選型及應用問題分析以及mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC電源IC/霍尼韋爾(Honeywell)感測器等方案型號推薦---MOS管驅動設計電路參考佈線設計細節有哪些呢？
答：MOS管驅動設計一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那麼簡單。 如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好，因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗佔總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。 對於一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那麼MOS管開啟的速度就會越快。與此類MOS管驅動設計一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那麼簡單。
如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好，因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗佔總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
對於一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那麼MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那麼MOS管關斷的速度也就越快。由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM晶片輸出直接驅動MOS或者用三極體放大後再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的。
比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動晶片，這類的晶片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還相容TTL電平輸入，MOSFET驅動晶片的內部結構。
需要注意
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振盪電路，如果直接把驅動晶片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震盪，導致MOS管急劇發熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯10歐左右的電阻，降低LC振盪電路的Q值，使震盪迅速衰減掉。
因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以建議在MOS管G S之間並聯一個10K的電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再並聯一個18V左右的TVS瞬態抑制二極體，TVS可以認為是一個反應速度很快的穩壓管，其瞬間可以承受的功率高達幾百至上千瓦，可以用來吸收瞬間的干擾脈衝。
MOS管驅動電路參考
佈線設計
MOS管驅動線路的環路面積要儘可能小，否則可能會引入外來的電磁干擾，驅動晶片的旁路電容要儘量靠近驅動晶片的VCC和GND引腳，否則走線的電感會很大程度上影響晶片的瞬間輸出電流。
常見驅動波形
1、如果出現了這樣圓不溜秋的波形就等著核爆吧。有很大一部分時間管子都工作線上性區，損耗極其巨大。
一般這種情況是佈線太長電感太大，柵極電阻都救不了你，只能重新畫板子。
2、高頻振鈴嚴重的毀容方波。在上升下降沿震盪嚴重，這種情況管子一般瞬間死掉，跟上一個情況差不多，進線性區。原因也類似，主要是佈線的問題。又胖又圓的肥豬波。上升下降沿極其緩慢，這是因為阻抗不匹配導致的。晶片驅動能力太差或者柵極電阻太大。
果斷換大電流的驅動晶片，柵極電阻往小調調就OK了。
打腫臉充正弦的生於方波他們家的三角波。驅動電路阻抗超大發了。此乃管子必殺波。解決方法同上。
3、大眾臉型，人見人愛的方波。高低電平分明，電平這時候可以叫電平了，因為它平。邊沿陡峭，開關速度快，損耗很小，略有震盪，可以接受，管子進不了線性區，強迫症的話可以適當調大柵極電阻。
4、方方正正的帥哥波，無振鈴無尖峰無線性損耗的三無產品，這就是最完美的波形了。