場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。　　場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。　　由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。　　FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。　　場效電晶體具有如下特點。　　（1）場效電晶體是電壓控制器件，它透過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；　　（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。　　（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；　　（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；　　（5）場效電晶體的抗輻射能力強；　　（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。　　

起到的作用都是功率開關管。

功率開關管是指能承受較大電流，漏電流較小，在一定條件下有較好飽和導通及截止特性的三極體，可不太考慮其放大效能。

其控制極與基極電流大小或方向有關電流經集電極和發射極，方向具體要看是NPN還是PNP管。場效電晶體一般做電子開關用，控制與極性有關。