直拉法又稱為切克勞斯基法，它是1918年由切克勞斯基（Czochralski）建立起來的一種晶體生長方法，簡稱CZ法。CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統彙總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶矽熔化，然後將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程，一支矽單晶就生長出來了。　　直拉法的典型應用：　　用於矽、鍺、銻化銦等半導體材料，以及氧化物和其他絕緣型別的大晶體的製備。　　直拉法的優缺點　　優點　　1、在生產過程中可以方便的觀察晶體的生長狀態。　　2、晶體在熔體表面處生長，而不與坩堝相接觸，這樣能顯著地減小晶體的應力，並防止鍋壁的寄生成核。　　3、可以方便的使用定向籽晶和“縮頸”工藝。縮頸後面的籽晶，其位錯可大大減少，這樣可使放大後生長出來的晶體，其位錯密度降低。　　總之，提拉法生長的晶體，其完整性很高，而生長率和晶體尺寸也是令人滿意的。例如，提拉法生長的紅寶石與焰熔法生長的紅寶石相比，具有較低的位錯密度，較高的光學均勻性，也不存在鋃嵌結構。　　缺點　　1、高溫下，石英容器會汙染熔體，造成晶體的純度降低。　　2、直拉法得到的單晶中雜質大體上沿縱向變化，對分凝係數小於1的雜質，在晶體中濃度不斷增加，因而也就使電阻率沿整根晶棒變化，以致不能生產出電阻率均勻的單晶體。