IGBT爆炸原因

1）內部因素

從爆炸的本質是發熱功率超過散熱功率，內部原因應該就是過熱。

2）人為因素

a.進線接在出線的端子上

b.變頻器接錯電源

c.沒按要求接負載

3）常見原因

a.過電流：一種是負載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導致上下橋臂元件直通。

b.絕緣的損壞

c.過電壓：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設計高效能吸收回路，降低線路雜散電感。

d.過熱：IGBT不能完全導通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導致損壞。

e.通訊誤位元速率：通訊一段時間後，突然的錯誤資訊導致IGBT誤導通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程式執行不穩定導致IGBT誤導通使IGBT爆炸。

4）其他原因

a.電路中過流檢測電路反應時間跟不上。

b.IGBT短路保護是透過檢測飽和壓降，而留給執行機構的時間一般是10us(8倍過流)在上電的時候容易燒預充電電阻和制動單元裡的IGBT。

c.工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。

d.短時大電流：原因也有很多，比如死區沒設定好、主電路過壓、吸收電路未做好。

e.驅動電源也是個應該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。

f.電機衝擊反饋電壓過大導致IGBT爆炸。但對於充電時爆炸的情況發生的機率不是很大。

g.電機啟動時，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復後電容充電時的浪湧電流過大致使IGBT爆炸