DRAM記憶體晶片由漲轉跌，而且跌幅還會繼續擴大，所以今年智慧手機的記憶體容量還會繼續增大，6GB入門、8GB主流、12GB才是高端了。在技術上，三星去年中就宣佈量產新一代LPDDR5記憶體，只是現在還沒有手機使用，三星自家的Galaxy S10系列還是LPDDR4X記憶體。今天三星宣佈推出業界容量最大的12GB LPDDR4X記憶體，使用的是第二代10nm級工藝1ynm，速率4266Mbps。
三星去年7月份宣佈量產8GB LPDDR4X記憶體，使用了第二代10nm級別工藝，這個10nm級工藝並不是10nm，而是1ynm工藝。在進入20nm工藝節點之後，DRAM工藝也面臨著越來越難的困境，所以製程工藝升級也不像之前那樣激進了，1xnm是第一代10nm級別工藝，三星之前有18nm工藝DRAM量產，而1ynm工藝則是第二代，大概是14-16nm工藝的樣子。
具體來說，這次推出的12GB LPDDR4X記憶體頻率4266Mbps，與去年的8GB LPDDR4X沒變化，不過容量提升了50%，內部有6顆16Gb容量的DRAM核心，總容量是目前容量最大的，應該就是Galaxy S10+手機12GB版的同款記憶體了。
在三星之後，SK Hynix及美光的12GB LPDDR4X記憶體也會跟進，今年的智慧手機高配版上12GB記憶體容量只會越來越多。
DRAM記憶體晶片由漲轉跌，而且跌幅還會繼續擴大，所以今年智慧手機的記憶體容量還會繼續增大，6GB入門、8GB主流、12GB才是高端了。在技術上，三星去年中就宣佈量產新一代LPDDR5記憶體，只是現在還沒有手機使用，三星自家的Galaxy S10系列還是LPDDR4X記憶體。今天三星宣佈推出業界容量最大的12GB LPDDR4X記憶體，使用的是第二代10nm級工藝1ynm，速率4266Mbps。
三星去年7月份宣佈量產8GB LPDDR4X記憶體，使用了第二代10nm級別工藝，這個10nm級工藝並不是10nm，而是1ynm工藝。在進入20nm工藝節點之後，DRAM工藝也面臨著越來越難的困境，所以製程工藝升級也不像之前那樣激進了，1xnm是第一代10nm級別工藝，三星之前有18nm工藝DRAM量產，而1ynm工藝則是第二代，大概是14-16nm工藝的樣子。
具體來說，這次推出的12GB LPDDR4X記憶體頻率4266Mbps，與去年的8GB LPDDR4X沒變化，不過容量提升了50%，內部有6顆16Gb容量的DRAM核心，總容量是目前容量最大的，應該就是Galaxy S10+手機12GB版的同款記憶體了。
在三星之後，SK Hynix及美光的12GB LPDDR4X記憶體也會跟進，今年的智慧手機高配版上12GB記憶體容量只會越來越多。