Everspin 近日宣佈，其已開始試生產最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻）非易失性隨機存取器。去年 12 月的時候，其已釋出了首批預生產樣品。

新 MRAM 器件採用格羅方德（GlobalFoundries）的 28nm 工藝製造，與當前的 40nm 256Mb 器件相比，其在密度和容量方面有了重大的進步。

預計今年下半年的時候，其產能會開始增加。

（題圖 via AnandTech）

新器件提供了 8 / 16-bit 的 DDR4-1333 MT/s（667MHz）介面，但與較舊的基於 DDR3 的 MRAM 元件一樣，時序上的差異使得其難以成為 DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。

低容量的特性，使得 MRAM 元件更適用於嵌入式系統，其中 SoC 和 ASIC 可更容易地設計相容的 DDR 控制器。

據悉，最新的 1Gb 容量 STT-MRAM 擴大了 MRAM 的吸引力，但 Everspin 仍需努力追趕 DRAM 的儲存密度。

當然，我們並不指望 MRAM 專用儲存裝置可以迅速在市面上普及（SSD 或 NVDIMM）。畢竟市面上的混合型 SSD，仍依賴於 NAND 快閃記憶體作為主要儲存介質。

目前行業內已透過 MRAM 來部分替代 DRAM，比如 IBM 就在去年推出了 FlashCore 模組，以及希捷在 FMS 2017 上展示的原型。

需要指出的是，儘管 Everspin 不是唯一一家致力於 MRAM 技術的公司，但它們卻是分立式 MRAM 器件的唯一供應商。

作為與格羅方德合作生產的第二款分立型 MRAM 器件，他們還在 GloFo 的 22nm FD-SOI 工藝路線圖中嵌入了 MRAM 。

鑑於該工廠取消了 7nm 和更低製程的計劃，包括嵌入式記憶體在內的特殊工藝對其未來顯然至關重要。