山東閱芯電子科技具備成熟的功率半導體器件可靠性測試方案,IGBT可靠性測試在其生產中必不可少的一個環節。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP電晶體，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間，可正常工作於幾十kHz頻率範圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP電晶體基極電流的供給，使得電晶體截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用於家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智慧電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能裝置，以及用於自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用於家用電器、相機和手機。
IGBT可靠性測試可以篩選出合格的IGBT產品，利於廠商改進工藝條件
山東閱芯電子科技具備成熟的功率半導體器件可靠性測試方案,IGBT可靠性測試在其生產中必不可少的一個環節。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP電晶體，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於MOSFET與功率電晶體之間，可正常工作於幾十kHz頻率範圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。
若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP電晶體基極電流的供給，使得電晶體截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用於家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智慧電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能裝置，以及用於自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用於家用電器、相機和手機。
IGBT可靠性測試可以篩選出合格的IGBT產品，利於廠商改進工藝條件