DRAM之所以稱為DRAM，就是因為它要不斷進行重新整理（Refresh）才能保留住資料，因此它是DRAM最重要的操作之一。
重新整理操作一般是用S-AMP先讀再寫。
那麼要隔多長時間重複一次重新整理呢？目前公認的標準是，儲存體中電容的資料有效儲存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行重新整理的迴圈週期是64ms。這樣重新整理速度就是：行數量/64ms。我們在看記憶體規格時，經常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標識，這裡的4096與8192就代表這個晶片中每個L-Bank的行數。重新整理命令一次對一行有效，傳送間隔也是隨總行數而變化，4096行時為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時就為7.8125μs。
重新整理操作分為兩種：自動重新整理（Auto Refresh，簡稱AR）與自重新整理（Self Refresh，簡稱SR）。不論是何種重新整理方式，都不需要外部提供行地址資訊，因為這是一個內部的自動操作。對於AR， SDRAM內部有一個行地址生成器（也稱重新整理計數器）用來自動的依次生成行地址。由於重新整理是針對一行中的所有儲存體進行，所以無需列定址，或者說CAS在RAS之前有效。所以，AR又稱CBR（CAS Before RAS，列提前於行定位）式重新整理。由於重新整理涉及到所有L-Bank，因此在重新整理過程中，所有L-Bank都停止工作，而每次重新整理所佔用的時間為9個時鐘週期（PC133標準），之後就可進入正常的工作狀態，也就是說在這9 個時鐘期間內，所有工作指令只能等待而無法執行。64ms之後則再次對同一行進行重新整理，如此週而復始進行迴圈重新整理。顯然，重新整理操作肯定會對SDRAM的效能造成影響，但這是沒辦法的事情，也是DRAM相對於SRAM（靜態記憶體，無需重新整理仍能保留資料）取得成本優勢的同時所付出的代價。
DRAM之所以稱為DRAM，就是因為它要不斷進行重新整理（Refresh）才能保留住資料，因此它是DRAM最重要的操作之一。
重新整理操作一般是用S-AMP先讀再寫。
那麼要隔多長時間重複一次重新整理呢？目前公認的標準是，儲存體中電容的資料有效儲存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行重新整理的迴圈週期是64ms。這樣重新整理速度就是：行數量/64ms。我們在看記憶體規格時，經常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標識，這裡的4096與8192就代表這個晶片中每個L-Bank的行數。重新整理命令一次對一行有效，傳送間隔也是隨總行數而變化，4096行時為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時就為7.8125μs。
重新整理操作分為兩種：自動重新整理（Auto Refresh，簡稱AR）與自重新整理（Self Refresh，簡稱SR）。不論是何種重新整理方式，都不需要外部提供行地址資訊，因為這是一個內部的自動操作。對於AR， SDRAM內部有一個行地址生成器（也稱重新整理計數器）用來自動的依次生成行地址。由於重新整理是針對一行中的所有儲存體進行，所以無需列定址，或者說CAS在RAS之前有效。所以，AR又稱CBR（CAS Before RAS，列提前於行定位）式重新整理。由於重新整理涉及到所有L-Bank，因此在重新整理過程中，所有L-Bank都停止工作，而每次重新整理所佔用的時間為9個時鐘週期（PC133標準），之後就可進入正常的工作狀態，也就是說在這9 個時鐘期間內，所有工作指令只能等待而無法執行。64ms之後則再次對同一行進行重新整理，如此週而復始進行迴圈重新整理。顯然，重新整理操作肯定會對SDRAM的效能造成影響，但這是沒辦法的事情，也是DRAM相對於SRAM（靜態記憶體，無需重新整理仍能保留資料）取得成本優勢的同時所付出的代價。