格羅方德與 Everspin 宣佈：兩家公司已將聯合開發的自旋轉矩（STT-MRAM）器件的製造，擴充套件至 12 nm FinFET 平臺（簡稱 12LP）。
透過這項合作，格羅方德能夠利用已被廣泛採用的 12nm 工藝來生產單獨的 MRAM 晶片、或將之嵌入其它透過 12LP 技術製造的產品。
據悉，兩家公司的合作歷史相當悠久，最早可追溯到 40nm 的量產工藝，然後擴充套件到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。
如今，格羅方德已能夠製造嵌入式的非容失性磁性隨機儲存器（eMRAM）。而 Everspin 單獨的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可透過 40 nm 和 28 nm 工藝量產製造。
透過將 STT-MRAM 縮小至 12 nm 製程，有助於雙方進一步拉低 1 Gb 晶片成本。以經濟高效的方式，生產更高容量的裝置。
此外，引用該公司的一份報告：到 2029 年，單獨的 MRAM 器件銷售額將達到 40 億美元。隨著對大容量 MRAM 產品需求的不斷擴充套件，未來還需要用到更先進的工藝。
格羅方德在其 12LP 平臺（包括 12LP+）中增加了對 eMRAM 的支援，可極大地提升該製程節點的競爭地位，尤其是未來幾年釋出的主控 / 微控制器應用領域。
比如，群聯（Phison）和華瀾微電子（Sage）即將推出的一些企業級 SSD 主控，就會採用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是單獨使用該器件。
eMARM 有望取代當前普遍採用的嵌入式快閃記憶體（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和效能等問題。
作為一種磁性儲存元器件，MRAM 能夠感測由薄壁隔開的兩個鐵磁膜的各向異性。由於不使用電荷或電流，其能夠在現代製程節點的幫助下，實現更優秀的效能和耐久度。
儘管 eMRAM 仍有其侷限性，但在其它技術出現之前，這種兼顧靜態（SRAM）和動態（DRAM）隨機儲存器特性的高度整合產品，仍然能夠在未來幾年內被各個廠商欣然應用於諸多裝置。
格羅方德與 Everspin 宣佈：兩家公司已將聯合開發的自旋轉矩（STT-MRAM）器件的製造，擴充套件至 12 nm FinFET 平臺（簡稱 12LP）。
透過這項合作，格羅方德能夠利用已被廣泛採用的 12nm 工藝來生產單獨的 MRAM 晶片、或將之嵌入其它透過 12LP 技術製造的產品。
據悉，兩家公司的合作歷史相當悠久，最早可追溯到 40nm 的量產工藝，然後擴充套件到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。
如今，格羅方德已能夠製造嵌入式的非容失性磁性隨機儲存器（eMRAM）。而 Everspin 單獨的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可透過 40 nm 和 28 nm 工藝量產製造。
透過將 STT-MRAM 縮小至 12 nm 製程，有助於雙方進一步拉低 1 Gb 晶片成本。以經濟高效的方式，生產更高容量的裝置。
此外，引用該公司的一份報告：到 2029 年，單獨的 MRAM 器件銷售額將達到 40 億美元。隨著對大容量 MRAM 產品需求的不斷擴充套件，未來還需要用到更先進的工藝。
格羅方德在其 12LP 平臺（包括 12LP+）中增加了對 eMRAM 的支援，可極大地提升該製程節點的競爭地位，尤其是未來幾年釋出的主控 / 微控制器應用領域。
比如，群聯（Phison）和華瀾微電子（Sage）即將推出的一些企業級 SSD 主控，就會採用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是單獨使用該器件。
eMARM 有望取代當前普遍採用的嵌入式快閃記憶體（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和效能等問題。
作為一種磁性儲存元器件，MRAM 能夠感測由薄壁隔開的兩個鐵磁膜的各向異性。由於不使用電荷或電流，其能夠在現代製程節點的幫助下，實現更優秀的效能和耐久度。
儘管 eMRAM 仍有其侷限性，但在其它技術出現之前，這種兼顧靜態（SRAM）和動態（DRAM）隨機儲存器特性的高度整合產品，仍然能夠在未來幾年內被各個廠商欣然應用於諸多裝置。