在本週的 Storage Field Day 上，西數透露該技術介於 3D NAND 與 DRAM 之間，類似於英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。
其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的儲存單元。
作為一款效能向的定製裝置，LLF 儲存的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照當下的每 GB 價格計算，其成本是 3D NAND 儲存的 20 倍。
換言之，這項技術只會在資料中心或高階工作站普及開來。
西數沒有透露其低延遲快閃記憶體的所有細節，也無法說明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash 低延遲3D NAND 或其它特殊型別的快閃記憶體的關聯有關。
至於實際的 LLF 產品將於何時上市，該公司不願表態。即便西數的 LLF 基於 BiCS4 的 3D NAND 儲存技術打造，即日起開始生產的難度也不大。
有趣的是，儘管西數的低延遲快閃記憶體將與英特爾傲騰和三星 Z-NAND SSD 展開競爭，但該公司並未將 LLF 稱為“儲存級記憶體”（SCM）。
從長遠來看，西數正在秘密開發基於 ReRAM 的儲存級記憶體產品，並與惠普攜手開發基於憶阻器的 SCM 硬體。
當然，研發往往需要多年。在下一代技術投入使用前，業界還是會著力於更成熟的 NAND 快閃記憶體，來滿足客戶對於容量和效能的需求。
在本週的 Storage Field Day 上，西數透露該技術介於 3D NAND 與 DRAM 之間，類似於英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。
其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的儲存單元。
作為一款效能向的定製裝置，LLF 儲存的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照當下的每 GB 價格計算，其成本是 3D NAND 儲存的 20 倍。
換言之，這項技術只會在資料中心或高階工作站普及開來。
西數沒有透露其低延遲快閃記憶體的所有細節，也無法說明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash 低延遲3D NAND 或其它特殊型別的快閃記憶體的關聯有關。
至於實際的 LLF 產品將於何時上市，該公司不願表態。即便西數的 LLF 基於 BiCS4 的 3D NAND 儲存技術打造，即日起開始生產的難度也不大。
有趣的是，儘管西數的低延遲快閃記憶體將與英特爾傲騰和三星 Z-NAND SSD 展開競爭，但該公司並未將 LLF 稱為“儲存級記憶體”（SCM）。
從長遠來看，西數正在秘密開發基於 ReRAM 的儲存級記憶體產品，並與惠普攜手開發基於憶阻器的 SCM 硬體。
當然，研發往往需要多年。在下一代技術投入使用前，業界還是會著力於更成熟的 NAND 快閃記憶體，來滿足客戶對於容量和效能的需求。