描述記憶體條效能的主要技術指標是：

1.速度

記憶體條的速度一般用存取一次資料的時間(單位一般用ns)來作為效能指標，時間越短，速度就越快。普通記憶體速度只能達到70ns～80ns，EDO記憶體速度可達到60ns，而SDRAM記憶體速度則已達到7ns。

注意：記憶體條的生產廠家非常多，目前還沒有形成一個統一的標註規範，所以記憶體的效能指標不可簡單地從記憶體晶片標註上讀出來，但可瞭解其速度如何，如－70或－60等數字，就表示此記憶體晶片的速度為70ns或60ns。

2.容量

記憶體條容量大小有多種規格，早期的30線記憶體條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO記憶體則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM記憶體大多為16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。圖5-1是一款獨特的64MB記憶體條。

3.奇偶校驗

為檢驗存取資料是否準確無誤，記憶體條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，並配合主機板的奇偶校驗電路對存取的資料進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統性能並沒有什麼影響，所以目前大多數記憶體條上已不再加裝校驗晶片。

注：計算機是以二進位制進行計數的，表現為0和1，當機器向記憶體寫入資料時，實際上就是存入程式碼01，奇偶校驗則將單元中存入的程式碼的個數進行奇偶統計，並將統計的結果儲存在奇偶校驗位中，當計算機提取記憶體的資料時，奇偶校驗則將統計的結果和實際讀出的資料進行比較看是否一致，從而確保了記憶體資料的正確性。

4.記憶體的電壓

FPM記憶體和EDO記憶體均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3V電壓，在使用中注意主機板上的跳線不能設錯。