10月21日，SK海力士宣佈開發適用第三代1Z奈米DDR4動態隨機儲存器（DRAM）。SK海力士稱，這款晶片實現了單一晶片標準內業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產的儲存量也是現存的DRAM內最大。

此外，與上一代1Y奈米產品相比，其產能提升約27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優勢。

新款1Z奈米DRAM支援高達3200 Mbps的資料傳輸速率，據稱是DDR4規格內最高速度。在功耗方面，與基於第二代8Gb產品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。

接下來，SK海力士計劃將第三代10奈米級微細工程技術擴充套件到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高階DRAM HBM3等。

DRAM 1Z開發事業TF長李廷燻表示，該晶片計劃年內完成批次生產，從明年開始正式供應。

科普：什麼是1Xnm，1Ynm和1Znm

在記憶體工藝進入20nm之後，由於製造難度越來越高，記憶體晶片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是希望透過兩代或三代1Xnm節點去升級DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm，1Znm工藝相當於12-14nm級別。