三極體（BJT）是電流控制型器件，也就是你說的基極電流Ib控制了集電極Ic到發射極Ie的電流。具體原理是在BE結正偏情況下，載流子從E跑到B，由於B是一個很窄的區域，摻雜濃度也較低，容許透過的電流很小。如果這時CB結反偏，B中的載流子大部分被C抽走了，所以Ic電流十分接近於Ie。放大係數β的控制，就是靠調整B區寬度或摻雜濃度，以此控制B區的電流透過的能力。BJT是雙極器件，原理上也比MOSFET複雜許多，涉及到電子空穴分別的行為，量化的放大係數跟注入效率、渡越時間、輸運係數有關。如果你想進一步瞭解，可以參考《電晶體原理與設計》 第二版 3.2節（陳星弼 張慶忠 編著）2012-12-24補充：發現書上第三章開頭有的一段話很不起眼，但是很清楚地解釋了這個原理，摘錄如下：“……當PN接面正偏時，電子從N區注入P區，空穴從P區注入N區，形成正向電流。正向電流的電荷來源是多子，所以正向電流很大。當PN接面處於反偏時，電子從P區被拉向N區，空穴從N區被拉向P區，形成反向電流。反向電流的電荷來源是少子，所以反向電流很小。如果能夠在反偏的PN接面附近設法提供大量的少子，就能使反向電流提高。給反偏PN接面提供少子的一種方法是在它附近製作一個正偏的PN接面。如果兩個PN接面靠得很近，則整片PN接面注入過來的少子還來不及複合，就被反偏的PN接面所收集而形成較大的反偏電流。反向電流的大小取決於正偏PN接面注入過來的少子的多少，而後者取決於加在正偏PN接面上的偏壓的大小。……”2014-10-9: 更正了2012-12-24引用的書上P/N區的輸入錯誤，改正的地方用下劃線表示（感謝shang di指正）
三極體（BJT）是電流控制型器件，也就是你說的基極電流Ib控制了集電極Ic到發射極Ie的電流。具體原理是在BE結正偏情況下，載流子從E跑到B，由於B是一個很窄的區域，摻雜濃度也較低，容許透過的電流很小。如果這時CB結反偏，B中的載流子大部分被C抽走了，所以Ic電流十分接近於Ie。放大係數β的控制，就是靠調整B區寬度或摻雜濃度，以此控制B區的電流透過的能力。BJT是雙極器件，原理上也比MOSFET複雜許多，涉及到電子空穴分別的行為，量化的放大係數跟注入效率、渡越時間、輸運係數有關。如果你想進一步瞭解，可以參考《電晶體原理與設計》 第二版 3.2節（陳星弼 張慶忠 編著）2012-12-24補充：發現書上第三章開頭有的一段話很不起眼，但是很清楚地解釋了這個原理，摘錄如下：“……當PN接面正偏時，電子從N區注入P區，空穴從P區注入N區，形成正向電流。正向電流的電荷來源是多子，所以正向電流很大。當PN接面處於反偏時，電子從P區被拉向N區，空穴從N區被拉向P區，形成反向電流。反向電流的電荷來源是少子，所以反向電流很小。如果能夠在反偏的PN接面附近設法提供大量的少子，就能使反向電流提高。給反偏PN接面提供少子的一種方法是在它附近製作一個正偏的PN接面。如果兩個PN接面靠得很近，則整片PN接面注入過來的少子還來不及複合，就被反偏的PN接面所收集而形成較大的反偏電流。反向電流的大小取決於正偏PN接面注入過來的少子的多少，而後者取決於加在正偏PN接面上的偏壓的大小。……”2014-10-9: 更正了2012-12-24引用的書上P/N區的輸入錯誤，改正的地方用下劃線表示（感謝shang di指正）