剛好做過這個方面的學習，隨便寫寫。
這方面，有機率資訊的儲存是有重量的。
或者說：其實資訊的儲存是一定有重量的，只是你是否能夠測量出來的問題。
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舉個簡單的例子：電容儲存資訊（說白了就是記憶體）
單單從物質角度來看，電容是一個極板的電子跑到了另一個極板上（等效，等效，真實並不是這個樣子的）。這樣看，按照物質守恆，似乎質量本身不改變。
但是，建立電場的過程，是一個充能的過程。能量本身是有質量的。或者說：電場本身蘊含能量，能量本身存在質量，這部分一定存在一定的質量。
也就是說：通電，正常執行的記憶體，質量和不通電是不同的。質量不同，重量也就不同。
而且，是：高阻態的記憶體質量更大。換句話說記憶體當中存的1越多，記憶體質量越大。
這部分質量斷電之後也就恢復了。
從這裡來說：對於記憶體來說，從斷電到通電的過程，儲存資訊一定帶來質量的改變，斷電之後恢復原來的質量。
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當問題變成硬碟的時候，問題就變得比較複雜了。
舉個例子：常用的硬碟，採用的是磁阻效應。別管到底是GMR還是TMR，本質一樣：內部磁序的變化影響了本身的電阻。
這個時候要提及勢能阱的概念。
本身，我們的電腦內部的硬碟，裡面有個自由層（最上層）。這個層有兩個穩定狀態（也就是極值點）：左邊或者右邊。想要讓其從一邊變到另一邊，（比如左邊到右邊），需要通電流，讓其豎起來。這個時候能量較高，不穩定。然後再用磁場使其落到另一邊，完成改變。
但是，雖然兩個都處在各自的能量極值點，兩個能量極值點是不一樣大的。既然能量不一樣大，那麼質量也就不一樣大。
這是從單個儲存單元來考慮的。
如果從所有的儲存單元考慮，問題就變得不同了：我們一般會讓0和1平均分佈，我們硬盤裡面的0和1之間差不多是相等的。也就是說，雖然我們改變了儲存的檔案，但本身這個檔案0和1對半分，並不會引起0和1之間數量變得不同。因此不會改變質量。
這裡面和記憶體是不同的：記憶體的穩定態能量一定是零，想要儲存資訊一定有能量輸入。但硬碟本身能量就不是最低點，而是最高點和最低點的平均值；與此同時每一次儲存並不會太大的改變這個平衡態，所以硬碟的質量可以視為不變的。
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如果再想想，電晶體資訊一定存在質量（CPU的快取）。答案也就出來了：可以說所有的資料都有重量。但非易失性儲存（如硬碟）儲存資訊其重量幾乎不變，易失性儲存儲存資訊重量一定比不儲存時候重量大。
剛好做過這個方面的學習，隨便寫寫。
這方面，有機率資訊的儲存是有重量的。
或者說：其實資訊的儲存是一定有重量的，只是你是否能夠測量出來的問題。
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舉個簡單的例子：電容儲存資訊（說白了就是記憶體）
單單從物質角度來看，電容是一個極板的電子跑到了另一個極板上（等效，等效，真實並不是這個樣子的）。這樣看，按照物質守恆，似乎質量本身不改變。
但是，建立電場的過程，是一個充能的過程。能量本身是有質量的。或者說：電場本身蘊含能量，能量本身存在質量，這部分一定存在一定的質量。
也就是說：通電，正常執行的記憶體，質量和不通電是不同的。質量不同，重量也就不同。
而且，是：高阻態的記憶體質量更大。換句話說記憶體當中存的1越多，記憶體質量越大。
這部分質量斷電之後也就恢復了。
從這裡來說：對於記憶體來說，從斷電到通電的過程，儲存資訊一定帶來質量的改變，斷電之後恢復原來的質量。
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當問題變成硬碟的時候，問題就變得比較複雜了。
舉個例子：常用的硬碟，採用的是磁阻效應。別管到底是GMR還是TMR，本質一樣：內部磁序的變化影響了本身的電阻。
這個時候要提及勢能阱的概念。
本身，我們的電腦內部的硬碟，裡面有個自由層（最上層）。這個層有兩個穩定狀態（也就是極值點）：左邊或者右邊。想要讓其從一邊變到另一邊，（比如左邊到右邊），需要通電流，讓其豎起來。這個時候能量較高，不穩定。然後再用磁場使其落到另一邊，完成改變。
但是，雖然兩個都處在各自的能量極值點，兩個能量極值點是不一樣大的。既然能量不一樣大，那麼質量也就不一樣大。
這是從單個儲存單元來考慮的。
如果從所有的儲存單元考慮，問題就變得不同了：我們一般會讓0和1平均分佈，我們硬盤裡面的0和1之間差不多是相等的。也就是說，雖然我們改變了儲存的檔案，但本身這個檔案0和1對半分，並不會引起0和1之間數量變得不同。因此不會改變質量。
這裡面和記憶體是不同的：記憶體的穩定態能量一定是零，想要儲存資訊一定有能量輸入。但硬碟本身能量就不是最低點，而是最高點和最低點的平均值；與此同時每一次儲存並不會太大的改變這個平衡態，所以硬碟的質量可以視為不變的。
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如果再想想，電晶體資訊一定存在質量（CPU的快取）。答案也就出來了：可以說所有的資料都有重量。但非易失性儲存（如硬碟）儲存資訊其重量幾乎不變，易失性儲存儲存資訊重量一定比不儲存時候重量大。