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  • 1 # 使用者4044055337388

    SLC

    Single-Level Cell,顧名思義,在每個儲存單元中儲存一位資料。這種設計可提高耐用性,準確性,效能。對於早期的企業應用程式和儲存服務,SLC 是首選的快閃記憶體技術。當然,價格和它的安全級別一樣高。

    MLC

    Multi-level cell 其實是個很廣的定義。因為 “Multi” 意思是 “多” ,所以 MLC 可以譯為多級單元架構。QLC、TLC、甚至每個單元儲存 6bit 資料的 “HLC” 和儲存 8bit 資料的 OLC 都屬於多級單元架構。但是我們日常說的“MLC” 其實翻譯成 “BLC” 更好,Binary level cell,二級單元架構,這樣可以消除 ambiguity. 但是沒有這麼翻譯,那我們也只能叫 2bit MLC 直接叫 MLC 了。它的工作原理每個單元儲存兩個位元。儘管將一個以上的 bit 打包到儲存器單元中可以更有效的利用空間,但這個的代價是降低使用壽命和可靠性。相對而言,MLC 比 SLC更適合高階家用。

    eMLC

    Enterprise Multi-Level Cell 是 MLC NAND 快閃記憶體的升級版,它在某種程度上彌合了 SLC 和MLC之間的效能和耐久性差距。 eMLC 驅動器的成本高於 MLC 驅動器,但遠低 SLC。即使每個單元仍然儲存兩位,但 eMLC 的主控可以讓資料讀取與寫入更加高效。

    TLC

    Third Level cell,又稱 3-bit MLC,顧名思義,每個單元儲存兩個位元組的資料,通常用於消費級電子產品,具有相對較低的效能和耐用性要求。適用於 io intensive 的應用。在 3D NAND 技術出來之前,基於 TLC 的企業級儲存裝置較少,一般以大容量倉庫為主。但最近在快閃記憶體架構方面有所改進,比如 3D NAND。使得顆粒有更強的耐久性以及更強的糾錯技術,也達到了媲美 MLC 的水準,同時成本更低。

    拿倉庫裡的架子來舉例。有三個倉庫,每個倉庫有一個架子,每個架子都有三層,每一層叫做一個 cell. 倉庫 A 需要儲存 3 個箱子;倉庫 B 需要儲存 6 個;倉庫 C 需要儲存 9 個。那麼平均分配,每一個 cell 分別儲存 1 個,2 個和 3 個箱子。倉庫 A 每一個 cell 儲存 1 個箱子,也就是 1bit 資料,B 儲存 2bit 以此類推...鑑於架子有“固定耐久”,所以 TLC 損耗快,因為它雖然儲存密度是 SLC 的三倍,但是每次“移動”的時候都會對“架子”有摩擦。慢慢的就壞了。

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